transistor de poder del mosfet
(43)
Transistor de poder del Mosfet de la eficacia alta 28.5dB 108MHz BLF174XR RF
Precio: negotiable
MOQ: 1 piece
El tiempo de entrega: 1-2 working days
Destacar:transistores del mosfet del poder más elevado, transistor del canal N
Mosfet LDMOS (dual), fuente común 50V 100mA 108MHz 28.5dB 600W SOT1214A de BLF174XR RF
600 transistor de poder extremadamente rugoso de W LDMOS para la difusión y los usos industriales en el HF a la banda de 128 megaciclos
Característica
1, control de poder fácil
2, protección in... Ver más
➤ Visitar Sitio web
Transistor de poder del Mosfet de IRFPC60PBF 600V 16A a través del agujero TO-247-3
Precio: negotiable
MOQ: 30 pieces
El tiempo de entrega: 1-2 working days
Marca: IR
Destacar:transistores del mosfet del poder más elevado, transistor del canal N
Canal N 600V 16A (Tc) 280W (Tc) del TRANSISTOR del MOSFET de IRFPC60PBF a través del agujero TO-247-3CARACTERÍSTICAS• Grado dinámico de dV/dt• Avalancha repetidor clasificada• Agujero de montaje central aislado• Transferencia rápida• Facilidad de ser paralelo a• Requisitos simples de la impulsión• V... Ver más
➤ Visitar Sitio web
Transistor de poder del Mosfet del canal N IRFP4227 a -247AC IRFP4227PBF
Precio: negotiable
MOQ: 30 pieces
El tiempo de entrega: 1-2 working days
Marca: IR or Infenion
Destacar:transistor del mosfet del canal N, transistor del canal N
TRANSISTOR DEL MOSFET DEL CANAL IRFP4227 200V 65A N IR-247AC IRFP4227PBF Caracteristicas Tecnología de proceso avanzada Parámetros clave optimizados para PDP Sustain, recuperación de energía y aplicaciones Pass Switch Baja calificación EPULSE para reducir la disipación de potencia en PDP Susta... Ver más
➤ Visitar Sitio web
Reemplazo de banda ancha del transistor del canal N de MRF151G RF para BLF278
Precio: negotiable
MOQ: 1 piece
El tiempo de entrega: 1-2 working days
Marca: MA-COM
Destacar:transistor del mosfet del canal N, transistor del canal N
Transistor 500W, 50V, reemplazo de banda ancha del efecto de campo del poder de MRF151G RF del MOSFET del canal N 175MHz para BLF278
Características
1, funcionamiento garantizado en 175 megaciclos, 50 V
2, de potencia de salida — 300 W • Aumento — DB 14 (tipo del DB 16)
3, eficacia — el... Ver más
➤ Visitar Sitio web
Gestión IC del poder de STPMIC1APQR Digitaces
Precio: negotiate
MOQ: negotiate
El tiempo de entrega: Negotiable
Marca: ST
Destacar:Gestión IC del poder de ROHS Digitaces, Gestión IC del poder de STPMIC1APQR Digitaces, Componentes electrónicos de STPMIC1APQR
Gestión IC del poder de STPMIC1APQR Digitaces
Lista de otros componentes electrónicos en existencia
NÚMERO DE PARTE
MFG/BRAND
NÚMERO DE PARTE
MFG/BRAND
M3S11-ALAA
ALI
ISL6314CRZ
INTERSIL
1GH45
TOSHIBA
B108C
SI
MAX4427MJA/883B
MÁXIMA
... Ver más
➤ Visitar Sitio web
Transistor de poder del Mosfet de RD100HHF1 25A 12.5W para los amplificadores de poder más elevado del HF
Precio: negotiable
MOQ: 1 piece
El tiempo de entrega: 1-2 working days
Marca: Mitsubishi
Destacar:Transistor del MOSFET del canal N, Transistor del canal N, transistor de poder del Mosfet de 25A 12.5W
El tipo transistor del MOSFET RD100HHF1 diseñó específicamente para los usos de los amplificadores de poder más elevado del HF
CARACTERÍSTICAS
• Poder más elevado y alta ganancia: Pout>100W, Gp>11.5dB @Vdd=12.5V, f=30MHz
• Eficacia alta: banda de HF 60%typ.on
USO
Para la et... Ver más
➤ Visitar Sitio web
Rendimiento del FET 93.7W del transistor del RF del poder más elevado de la banda X de FLM0910-25F alto
Precio: negotiable
MOQ: 1 piece
El tiempo de entrega: 1-2 working days
Marca: Fuji Electric
Destacar:transistores del mosfet del poder más elevado, transistor del canal N
FET internamente hecho juego de la banda X del transistor de poder de FLM0910-25F RF
DESCRIPCIÓN
El FLM0910-25F es un FET del GaAs del poder que está internamente las bandas estándar de la comunicación del matchedfor para proporcionar poder y aumento óptimos en un 50Ωsystem
Lis... Ver más
➤ Visitar Sitio web
Transistor del carburo de silicio del transistor de poder de RD06HVF1 RF 175MHz 6W para los amplificadores
Precio: negotiable
MOQ: 50 pieces
El tiempo de entrega: 1-2 working days
Marca: Mitsubishi
Destacar:transistores del mosfet del poder más elevado, Transistor del MOSFET del canal N, Transistor de poder del RF 175MHz 6W
RD06HVF1 RF POWER MOSFET Transistor de silicio 175MHz 6W para aplicaciones de amplificadores
Descripción de RD06HVF1
RD06HVF1 es un transistor tipo MOS FET diseñado específicamente para aplicaciones de amplificadores de potencia VHF RF
CARACTERÍSTICAS de RD06HVF1
Alta ganancia de potencia:... Ver más
➤ Visitar Sitio web
El MOSFET del transistor de poder del Mosfet del canal N IRF540NS 100V 33A 130W D2PAK ayuna transferencia
Precio: negotiate
MOQ: 20 pcs
El tiempo de entrega: 2-3 working days
Marca: IOR
Destacar:transistores del mosfet del poder más elevado, Transistor del MOSFET del canal N, Transistor de poder del Mosfet IRF540NS
MOSFET del canal N 100V 33A 130W D2PAK de IRF540NS con la transferencia rápida
Características
Tecnología de proceso avanzada
En-resistencia ultrabaja
Grado dinámico de dv/dt
temperatura de funcionamiento 175°C
Transferencia rápida
Comp... Ver más
➤ Visitar Sitio web
Canal N 100 V 0 del TRANSISTOR del MOSFET STP45N10F7 tipo 45A de 013 ohmios
Precio: negotiate
MOQ: negotiate
El tiempo de entrega: Negotiable
Marca: ST
Destacar:TRANSISTOR DEL MOSFET STP45N10F7, transistor del MOSFET del canal N 100V, Transistor del MOSFET del canal N STP45N10F7
Canal N 100 V 0 del TRANSISTOR del MOSFET STP45N10F7 tipo 45A de 013 ohmios
Lista de otros componentes electrónicos en existencia
NÚMERO DE PARTE
MFG/BRAND
NÚMERO DE PARTE
MFG/BRAND
SSM6K25FE (TE85L, F)
TOSHIBA
PMEG4010CEJ
S9S08DZ60F2MLH
FREESCALE
... Ver más
➤ Visitar Sitio web
Microcontrolador LQFP100 del BRAZO STM32F407VET6
Precio: negotiate
MOQ: negotiate
El tiempo de entrega: Negotiable
Marca: ST
Destacar:Microcontrolador del BRAZO STM32F407VET6, Microcontrolador LQFP100 del BRAZO, Componentes electrónicos STM32F407VET6
Microcontrolador LQFP100 del BRAZO STM32F407VET6
Lista de otros componentes electrónicos en existencia
NÚMERO DE PARTE
MFG/BRAND
NÚMERO DE PARTE
MFG/BRAND
MPC8266AZUPJDC
FREESCALE
STC89LE58RD+40C-PDIP
STC
HMC341LC3B
HITITA
SP504MCF
SIPEX
ES72... Ver más
➤ Visitar Sitio web
Microcontrolador LQFP48 del BRAZO STM32F030C8T6
Precio: negotiate
MOQ: negotiate
El tiempo de entrega: Negotiable
Marca: ST
Destacar:Microcontrolador del BRAZO STM32F030C8T6, Microcontrolador LQFP48 del BRAZO, Componentes electrónicos STM32F030C8T6
Microcontrolador LQFP48 del BRAZO STM32F030C8T6
Lista de otros componentes electrónicos en existencia
NÚMERO DE PARTE
MFG/BRAND
NÚMERO DE PARTE
MFG/BRAND
DAP017A
EN
MAX907CPA+
MÁXIMA
SI8235AB-C-IM
SILICIO
TPS73633DRBT
TI
FM1701-SOU-R
FUJ
... Ver más
➤ Visitar Sitio web
Transistor del MOSFET del canal N STH150N10F7-2
Precio: negotiate
MOQ: negotiate
El tiempo de entrega: Negotiable
Marca: ST
Destacar:Transistor de poder del Mosfet STH150N10F7-2, Transistor del MOSFET del canal N STH150N10F7-2, Transistor del MOSFET STH150N10F7-2
Transistor del MOSFET del canal N STH150N10F7-2
Lista de otros componentes electrónicos en existencia
NÚMERO DE PARTE
MFG/BRAND
NÚMERO DE PARTE
MFG/BRAND
AD96685BH
ADI
HFCT-5205A
AVAGO
XR2211D
EXAR
GTL2006PW
LTC3545EUD#TRPBF
LINEAR
... Ver más
➤ Visitar Sitio web
Módulos de poder de IRM-10-5 AC/DC 5V 2A 10W
Precio: negotiate
MOQ: negotiate
El tiempo de entrega: Negotiable
Marca: MEANWELL
Destacar:Módulos de poder de IRM-10-5 AC/DC, Módulos de poder 5V 2A 10W
Módulos de poder de IRM-10-5 AC/DC 5V 2A 10W
Lista de otros componentes electrónicos en existencia
NÚMERO DE PARTE
MFG/BRAND
NÚMERO DE PARTE
MFG/BRAND
DTA123EKA
ROHM
NE592N14
S
AD826ARZ
ADI
MAX1483CPA
MÁXIMA
EDJ4216EFBG-GNL-F
ELPIDA
E... Ver más
➤ Visitar Sitio web
TRANSISTOR 100V 33A 44mOhm del MOSFET de IRF540NPBF
Precio: negotiate
MOQ: negotiate
El tiempo de entrega: Negotiable
Marca: INFINEON
Destacar:TRANSISTOR 100V 33A del MOSFET, Transistor de poder del Mosfet de IRF540NPBF, TRANSISTOR DEL MOSFET DE IRF540NPBF
TRANSISTOR 100V 33A 44mOhm del MOSFET de IRF540NPBF
Lista de otros componentes electrónicos en existencia
NÚMERO DE PARTE
MFG/BRAND
NÚMERO DE PARTE
MFG/BRAND
EP20K100EFC324-2
ALTERA
PIC16C57-LP/P
MICROCHIP
DPTV-DX6630B
TRIDENT
UPD78F0526AGB-8ET-A
R... Ver más
➤ Visitar Sitio web
N- Canalice el transistor de poder del Mosfet 55V 110A 200W a través del agujero TO-220AB IRF3205PBF
Precio: negotiate
MOQ: 10pcs
El tiempo de entrega: 2-3 working days
Marca: IOR
Destacar:transistores del mosfet del poder más elevado, Transistor del MOSFET del canal N, Transistor de poder del Mosfet del canal N
MOSFET 55V 110A 200W del canal N de IRF3205PBF a través del agujero TO-220AB
Descripción
MOSFETs avanzados del poder de HEXFET® del International
El rectificador utiliza técnicas de proceso avanzadas para alcanzar
extremadamente - en-resistencia baja por área del silicio. Esta ventaja,
com... Ver más
➤ Visitar Sitio web
A través de Mosfet 55V 49A 94W TO-220 ROHS IRFZ44NPBF IRFZ44N del poder del canal N del agujero
Precio: negotiate
MOQ: 50pcs
El tiempo de entrega: 2-3 working days
Marca: IOR
Destacar:transistores del mosfet del poder más elevado, Transistor del MOSFET del canal N, Mosfet 55V 49A del poder del canal N
MOSFET 55V 49A 94W del PODER del canal N de IRFZ44N a través del agujero TO-220
Descripción
MOSFETs avanzados del poder de HEXFET® del International
El rectificador utiliza técnicas de proceso avanzadas para alcanzar
extremadamente - en-resistencia baja por área del silicio. Esta ventaja,
... Ver más
➤ Visitar Sitio web
Mosfet superficial FDMC510P 20V 2.3W 41W 8 del poder del canal del soporte P - MLP RoHS obediente
Precio: negotiate
MOQ: 20pcs
El tiempo de entrega: 2-3 working days
Marca: ON Semiconductor
Destacar:transistores del mosfet del poder más elevado, Transistor del MOSFET del canal N, Mosfet superficial del poder del canal del soporte P
Soporte 8-MLP de la superficie del MOSFET 2.3W 41W del PODER del P-canal 20V de FDMC510P
Descripción general
Este MOSFET del P-canal se produce usando el proceso avanzado de Trench® del poder del semiconductor de Fairchild que se ha optimizado para el RDS (ENCENDIDO), el funcionamiento y la aspe... Ver más
➤ Visitar Sitio web
MOSFET 200V 50A 300W del canal N del transistor de poder del Mosfet de IRFP260NPBF 64-6005PBF a través del agujero TO-247AC
Precio: negotiate
MOQ: 10 pcs
El tiempo de entrega: 2-3 working days
Marca: IOR
Destacar:transistores del mosfet del poder más elevado, Transistor del MOSFET del canal N, Transistor de poder del Mosfet de IRFP260NPBF
MOSFET 200V 50A 300W del canal N de IRFP260NPBF a través del agujero TO-247AC RoHS obediente
El otro nombre: 64-6005PBF
Característica
l tecnología de proceso avanzada
l grado dinámico de dv/dt
l temperatura de funcionamiento de 175°C
l ayuna transferencia
l completamente avalancha cla... Ver más
➤ Visitar Sitio web
Canal N superficial 55V 17A 45W de la d PAK del transistor de poder más elevado del soporte IRFR024NTRPBF
Precio: negotiate
MOQ: 50 pcs
El tiempo de entrega: 2-3 working days
Marca: IOR
Destacar:transistores del mosfet del poder más elevado, transistor del mosfet del canal N
Soporte RoHS de la superficie del canal N 55V 17A 45W de IRFR024NTRPBF D-PAK obedienteCaracterístical En-resistencia ultrabajal soporte de la superficie (IRFR024N)l ventaja recta (IRFU024N)l tecnología de proceso avanzadal ayuna transferencial completamente avalancha clasificadaTipo del FETCanal N T... Ver más
➤ Visitar Sitio web