Oblea del GaAs

N - Mecanografíe a oblea GaAs del arseniuro de galio los substratos del solo cristal 2 - 6 pulgadas

tipo substratos del método N de 6inch VGF del GaAs 2 grados de las obleas de 675um SSP

Oblea del arseniuro de galio de 4 pulgadas, substrato del Gaas para las aleaciones de baja temperatura

el N-tipo S de 3inch 76.2m m dopó la oblea del arseniuro de galio para la microelectrónica

tipo substratos del grado N de la prueba de la investigación de las obleas de 3inch VGF GaAs del GaAs

El lado doble pulió los microprocesadores cristalinos del substrato de la oblea 1sp 2sp 10X10m m GGG de Semicondutor

titanato cuadrado del estroncio del substrato Srtio3 de 10X10m m pequeño para la ventana de cristal óptica

Tipo aislador del diámetro 150m m de la oblea del Gaas del método de VGF semi - para la microelectrónica

Substrato de Zno, substrato del cristal del óxido de cinc de la oblea del arseniuro de galio

Substrato de GGG, substrato del cristal del granate GGG Gd3Ga5012 del galio del gadolinio

Laalo3 substrato, substrato del cristal del aluminato del lantano de la oblea del arseniuro de galio

pulgada de diámetro 50.8m m de la oblea cristalina 2 de InAs de la oblea del arseniuro del indio del grueso 500um

Diámetro 50.8m m oblea del arseniuro de galio de 2 pulgadas para el substrato del semiconductor

Wafer epitaxial láser GaAs Gallio Arsenuro Wafer VCSEL/PD Wafer expitaxial para detección inteligente

"2" S Dopped GaP Semiconductor EPI Wafer N Tipo P Tipo 250um 300um Diodos emisores de luz

Wafers GaP transparentes naranjas sin topes tipo P tipo N tipo 200um 350um 5G de emisión de luz

GaP Wafers semi-aislados P Tipo N Tipo 400um 500um Verde LED Rojo Emisión de luz verde

solo Crystal Gallium Arsenide Substrates Semiconductor N tipo de 2inch

tipo substratos del método P del crecimiento de 6Inch VGF del GaAs de las obleas del GaAs

estructura del monoclinal del substrato del óxido del galio de 10x10m m