Oblea del fosfuro de indio

2 - Oblea cristalina de Gap del substrato del fosfuro del galio de 6 pulgadas grueso de 0,1 - de 2m m

Material excelente del semiconductor de las placas de GE de indio de la oblea óptica del fosfuro

Alta oblea superficial refractiva del germanio de DSP GE

Oblea óptica del INP de GE, oblea del fosfuro de indio del dispositivo de semiconductor

Cubo Crystal Mgo Substrates, cristal del crecimiento de Francia del arco del óxido de magnesio

Oblea del fosfuro del galio del indio del INP de los substratos del semiconductor de la lente de GE

Substratos del semiconductor de las obleas del INP de los solos cristales del germanio

2 tipo semi aislador oblea simulada de la pulgada 50m m N del fosfuro de indio del INP

Color del negro del diámetro de la oblea 100m m del fosfuro de indio del INP del diodo láser

Oblea semiaislante del INP del fosfuro de indio de 4 pulgadas para el diodo láser del LD

Oblea negra del fosfuro de indio, oblea de semiconductor para el uso del LD

3,58 substrato del cristal del óxido de magnesio de la oblea del substrato/Mgo del Mgo de la densidad

Grueso primario/simulado 350um de la oblea del fosfuro de indio del grado para el LD

N / P mecanografía la oblea del germanio, diámetro 0,5 ~ 150m m de las placas de la óptica del germanio

La oblea del fosfuro de indio de los solos cristales del germanio modificó la lente óptica 4/6 pulgadas de GE para requisitos particulares

Substratos de semiconductores de obleas de germanio <111> Concentración fotovoltaica CPV Formas de tamaño personalizado

Substrato de germanio GE Lentes ópticas de ventanas planas Aplicaciones de imágenes térmicas y espectroscopia infrarroja Alta dureza

Óxido de magnesio Pureza 95% MgO Film Substrato 5x5 10x10 20x20 espesor 0,5 mm 1,0 mm Orientación <001> <110> <111>

InP Wafer epitaxial láser Wafer de fosfuro de indio DFB/EML Wafer expitaxial para detección inteligente

Wafer DFB N-InP sustrato epiwafer capa activa InGaAlAs/InGaAsP 2 4 6 pulgadas para el sensor de gas