Oblea del nitruro del galio
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SSP DSP VGF tipo N tipo P tipo InP obleas de alta movilidad electrónica / conductividad térmica
Precio: Negotiable
MOQ: 1
El tiempo de entrega: 2-4 weeks
Marca: ZMSH
Destacar:DSP Wafer de fosfuro de indio, Waferas INP tipo N, Waferas InP de alta movilidad electrónica
Descripción del producto:
El nuestroEn el PLas obleas de fosfuro de indio son conocidas por su baja densidad de defectos y su alto rendimiento, y se utilizan ampliamente en optoelectrónica y microelectrónica.Estas obleas se fabrican utilizando técnicas de crecimiento de precisión, garantizando la a... Ver más
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GaN-En-zafiro libre GaN-En-SIC del dispositivo de GaN Substrates HVPE GaN Wafers Powder de la situación
Precio: 1000~3000usd/pc
MOQ: 1pcs
El tiempo de entrega: 1-5weeks
Marca: zmkj
Destacar:Substrato derecho libre del nitruro del galio, HVPE GaN Epi Wafer, Dispositivo del polvo de la oblea del arseniuro de galio
Plantilla de sustratos de GaN de 2 pulgadas, oblea de GaN para LED, oblea de nitruro de galio semiconductor para ld, plantilla de GaN, oblea de GaN mocvd, sustratos de GaN independientes por tamaño personalizado, oblea de GaN de tamaño pequeño para LED,mocvd oblea de nitruro de galio 10x10 mm,5x5mm... Ver más
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obleas del HEMT de la plantilla AlGaN/GaN del FSS AlN de 4inch Dia100mm GaN Template NPSS
Precio: 1200~2500usd/pc
MOQ: 10pcs
El tiempo de entrega: 1-5weeks
Marca: zmkj
Destacar:oblea gan, obleas del fosfuro del galio
plantilla de los substratos de 2inch GaN, oblea para LeD, oblea semiconductora para el ld, plantilla de GaN, mocvd GaN Wafer, GaN Substrates libre por tamaño modificado para requisitos particulares, oblea tamaño pequeño para el LED, oblea 10x10m m, 5x5m m, oblea de 10x5m m GaN, GaN Substrates libre... Ver más
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8 pulgadas AlGaN/GaN Gallium Nitride Wafer For LED micro
Precio: 1200~2500usd/pc
MOQ: 1pcs
El tiempo de entrega: 1-5weeks
Marca: zmkj
Destacar:GaN Gallium Nitride Wafer, Oblea del nitruro de aluminio para el LED micro, Oblea del arseniuro de galio de 8 pulgadas
8 pulgadas 6 pulgadas AlGaN/GaN HEMT-on-HR Si Epiwafer GaN-on-Si Epiwafer para micro-LED para aplicación de RF
Características de las obleas de GaN
El contenido de nitrógeno en la mezcla de nitrógeno y nitrógeno en la mezcla de nitrógeno y nitrógeno en la mezcla de nitrógeno y nitrógeno en la ... Ver más
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substratos del zafiro 350um de la plantilla 430um del nitruro de aluminio de AlN del grueso 5um sic
Precio: by case
MOQ: 5pcs
El tiempo de entrega: 1-5weeks
Marca: zmkj
Destacar:oblea gan, obleas del fosfuro del galio
plantilla del nitruro de aluminio de AlN del grueso de 2inch 5um en 430um los substratos del zafiro 350um sic
Característica de la oblea de AlN
III-nitruro (GaN, AlN, mesón)
plantilla de 2inch AlN en el zafiro o sic los substratos, oblea del nitruro del galio de HVPE, substratos de AlN en GaN... Ver más
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la oblea HVPE del nitruro del galio de 5x5/10x10 milímetro libera la plantilla derecha del microprocesador industrial
Precio: 1200~2500usd/pc
MOQ: 10pcs
El tiempo de entrega: 1-5weeks
Marca: zmkj
Destacar:oblea gan, obleas del fosfuro del galio
Plantilla de sustratos de GaN de 2 pulgadas, oblea de GaN para LED, oblea de nitruro de galio semiconductor para ld, plantilla de GaN, oblea de GaN mocvd, substratos de GaN independientes por tamaño personalizado, oblea de GaN de tamaño pequeño para LED,mocvd oblea de nitruro de galio 10x10 mm,5x5m... Ver más
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Wafer GaN de 4 pulgadas de grado de investigación de 0,4 mm para semiconductores
Precio: 1000~2500usd/pc
MOQ: 2pcs
El tiempo de entrega: 1-5weeks
Marca: zmkj
Destacar:Oblea gan derecha libre, oblea gan de 0.4m m, semiconductores gan en la oblea de silicio
2 pulgadas modelo de sustratos de GaN,Wafer de GaN para LeD, Wafer de Nitruro de Galo semiconductor para ld, GaN modelo, mocvd Wafer de GaN,Substratos de GaN independientes por tamaño personalizado,Wafer GaN de pequeño tamaño para LED, mocvd oblea de nitruro de galio 10x10mm, 5x5mm, 10x5mm oblea ... Ver más
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Tipo de la oblea N del diámetro 200m m AlGaN Si Epi para el LED micro 6 pulgadas
Precio: 1200~2500usd/pc
MOQ: 1pcs
El tiempo de entrega: 1-5weeks
Marca: zmkj
Destacar:Oblea del diámetro 200m m Si Epi, Oblea del Si Epi de 6 pulgadas, Oblea del arseniuro de galio de AlGaN
8 pulgadas 6 pulgadas AlGaN/GaN HEMT-on-HR Si Epiwafer GaN-on-Si Epiwafer para micro-LED para aplicación de RF
Características de las obleas de GaN
El contenido de nitrógeno en la mezcla de nitrógeno y nitrógeno en la mezcla de nitrógeno y nitrógeno en la mezcla de nitrógeno y nitrógeno en la m... Ver más
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Orientación111 100 SSP DSP Alta pureza InP Semiconductor Wafer 6'4' InP Wafers
Precio: Negotiable
MOQ: 1
El tiempo de entrega: 2-4weeks
Marca: ZMSH
Destacar:Se trata de una muestra de las características de las plaquetas de fosfuro de indio., Wafer de semiconductores InP de alta pureza, Ofras de 4'' de longitud
Descripción del producto:
El nuestroEn el PLas obleas semiconductoras (fosfuro de indio), conocidas por sus excepcionales propiedades electrónicas y optoelectrónicas, han encontrado amplias aplicaciones en comunicaciones, óptica y electrónica.Utilización de tecnologías avanzadas de cultivo y proces... Ver más
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cristal derecho libre de la oblea HVPE GaN del nitruro del galio de 0.4m m solo para el dispositivo
Precio: 1000~2500usd/pc
MOQ: 2pcs
El tiempo de entrega: 1-5weeks
Marca: zmkj
Destacar:0.4m m HVPE GaN Wafer, Situación libre GaN Single Crystal, Galio GaN Single Crystal
plantilla de los substratos de 2inch GaN, oblea para LeD, oblea semiconductora para el ld, plantilla de GaN, mocvd GaN Wafer, GaN Substrates libre por tamaño modificado para requisitos particulares, oblea tamaño pequeño para el LED, oblea 10x10m m, 5x5m m, oblea de 10x5m m GaN, GaN Substrates li... Ver más
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4 plantilla de Sapphire Gallium Nitride Wafer 5um AlN de la pulgada
Precio: 150-250usd/pc
MOQ: 3pcs
El tiempo de entrega: 1-3weeks
Marca: zmkj
Destacar:Sapphire Aluminum Nitride Wafer, Oblea del arseniuro de galio de AlN, Oblea del nitruro LED del galio
plantilla de la Epi-oblea 1-5um AlN del AlN-en-zafiro de 2inch 4inch
8inch 6inch AlGaN/GaN HEMT-en-hora Si Epiwafer GaN-en-Si Epiwafer para el Micro-LED para el uso del RF
GaN Wafer Characteristic
III-nitruro (GaN, AlN, mesón)
El nitruro del galio es una clase de semiconductores compue... Ver más
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El Si dopó la oblea sin impurificar del nitruro del galio del dispositivo del laser
Precio: 1000~2500usd/pc
MOQ: 1pcs
El tiempo de entrega: 1-5weeks
Marca: zmkj
Destacar:oblea del nitruro del galio del dispositivo del laser, Oblea sin impurificar del nitruro del galio, Oblea sin impurificar de Gan
plantilla de los substratos de 2inch GaN, oblea para LeD, oblea semiconductora para el ld, plantilla de GaN, mocvd GaN Wafer, GaN Substrates libre por tamaño modificado para requisitos particulares, oblea tamaño pequeño para el LED, oblea 10x10m m, 5x5m m, oblea de 10x5m m GaN, GaN Substrate... Ver más
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Oblea modificada para requisitos particulares del nitruro del galio del tamaño 5x10m m M Axis Free Standing HVPE
Precio: 500usd/pc
MOQ: 10pcs
El tiempo de entrega: 1-5weeks
Marca: zmkj
Destacar:Oblea del nitruro del galio de HVPE, Oblea de M Axis Gallium Nitride, Oblea gan de M Axis
plantilla de los substratos de 2inch GaN, oblea para LeD, oblea semiconductora para el ld, plantilla de GaN, mocvd GaN Wafer, GaN Substrates libre por tamaño modificado para requisitos particulares, oblea tamaño pequeño para el LED, oblea 10x10m m, 5x5m m, oblea de 10x5m m GaN, GaN Substrates li... Ver más
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El FE del Si dopó la oblea sin impurificar del nitruro del galio exhibición de la proyección del laser de 2 PULGADAS
Precio: 1000~2500usd/pc
MOQ: 1pcs
El tiempo de entrega: 1-5weeks
Marca: zmkj
Destacar:oblea gan, Oblea del arseniuro de galio
plantilla de los substratos de 2inch GaN, oblea para LeD, oblea semiconductora para el ld, plantilla de GaN, mocvd GaN Wafer, GaN Substrates libre por tamaño modificado para requisitos particulares, oblea tamaño pequeño para el LED, oblea 10x10m m, 5x5m m, oblea de 10x5m m GaN, GaN Substrates li... Ver más
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2Inch 4inch GaN Gallium Nitride Wafer libre
MOQ: 5pcs
El tiempo de entrega: 1-5weeks
Marca: zmkj
Destacar:Oblea del nitruro del galio de 2 pulgadas, Sapphire Substrates Gallium Nitride Wafer, LED GaN Wafer
plantilla de los substratos de 2inch GaN, oblea para LeD, oblea semiconductora para el ld, plantilla de GaN, mocvd GaN Wafer, GaN Substrates libre por tamaño modificado para requisitos particulares, oblea tamaño pequeño para el LED, oblea 10x10m m, 5x5m m, oblea de 10x5m m GaN, GaN Substrates libre... Ver más
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2 oblea del nitruro del galio III de 4 pulgadas 4-5 Um de 0,43 milímetros del zafiro substratos sic
Precio: by case
MOQ: 2pcs
El tiempo de entrega: 1-5weeks
Marca: zmkj
Destacar:oblea gan, Oblea del arseniuro de galio
plantilla de los substratos de 2inch GaN, oblea para LeD, oblea semiconductora para el ld, plantilla de GaN, oblea del mocvd GaN, substratos libres por tamaño modificado para requisitos particulares, oblea tamaño pequeño para el LED, oblea 10x10m m, 5x5m m, oblea de 10x5m m GaN, substratos libres n... Ver más
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III - Nitruro oblea derecha libre de GaN de 2 PULGADAS para el dispositivo de poder de la exhibición de la proyección del laser
Precio: 1200~2500usd/pc
MOQ: 10pcs
El tiempo de entrega: 1-5weeks
Marca: zmkj
Destacar:oblea gan, Oblea del arseniuro de galio
plantilla de los substratos de 2inch GaN, oblea para LeD, oblea semiconductora para el ld, plantilla de GaN, oblea del mocvd GaN, substratos libres por tamaño modificado para requisitos particulares, oblea tamaño pequeño para el LED, oblea 10x10m m, 5x5m m, oblea de 10x5m m GaN, substratos libres n... Ver más
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2 oblea del nitruro del galio de la pulgada DSP SSP plantillas epitaxiales de AXIS del zafiro de un GaN de los substratos
Precio: by case
MOQ: 25pcs
El tiempo de entrega: 1-5weeks
Marca: zmkj
Destacar:oblea gan, Oblea del arseniuro de galio
oblea del zafiro de 2inch R-AXIS para la prueba epi-lista, ventanas ópticas del zafiro, substrato epi-listo del zafiro de R-AXIS 2inch
1. Descripción El zafiro es uno de los materiales más duros, y posee la transmisión muy buena durante la gama de espectro visible y cercano del IR. Es amplia... Ver más
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GaN Nitruro de galio Wafer Alta movilidad de electrones Dispositivos de RF Optoelectrónica Y LED
Precio: Negotiable
MOQ: Negotiable
El tiempo de entrega: 2-4 weeks
Marca: ZMSH
Destacar:Optoelectrónica Wafer de nitruro de galio, LEDs GaN Wafer, Dispositivos de RF Wafer de nitruro de galio
GaN Nitruro de galio Wafer Alta movilidad de electrones Dispositivos RF Optoelectrónica y LED
Resumen de la oblea de Nitruro de Galio GaN
Las obleas de nitruro de galio (GaN) se han convertido en una tecnología fundamental en varias industrias, debido a sus propiedades materiales únicas.y excepciona... Ver más
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Plantilla sobre obleas de diamante Sustrato AlN Películas epitaxiales
Precio: by case
MOQ: 5pcs
El tiempo de entrega: 2-6weeks
Marca: zmkj
Destacar:En sustrato de obleas de diamante, obleas de diamante de películas epitaxiales AlN, en obleas de zafiro de diamante
AlN sobre obleas de plantilla de diamante Películas epitaxiales de AlN sobre sustrato de diamante AlN sobre zafiro /AlN-sobre-SiC/ AlN-ON Silicio
Bienvenido a la plantilla Know AlN en Diamond~~
Ventajas de AlN• Banda prohibida directa, ancho de banda prohibida de 6,2 eV, es un material lumin... Ver más
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