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Oblea del nitruro del galio
(25)
8 pulgadas AlGaN/GaN Gallium Nitride Wafer For LED micro
Precio: 1200~2500usd/pc
MOQ: 1pcs
El tiempo de entrega: 1-5weeks
Marca: zmkj
Destacar:GaN Gallium Nitride Wafer, Aluminum Nitride Wafer For Micro LED, 8 Inch Gallium Arsenide Wafer
8inch 6inch AlGaN/GaN HEMT-on-HR Si Epiwafer GaN-on-Si Epiwafer for Micro-LED for RF application GaN Wafer Characteristic III-Nitride(GaN,AlN,InN) Gallium Nitride is one kind of wide-gap compound semiconductors. Gallium Nitride (GaN) substrate is a high-quality single-crystal substrate. It is made w... Ver más
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Tipo de la oblea N del diámetro 200m m AlGaN Si Epi para el LED micro 6 pulgadas
Precio: 1200~2500usd/pc
MOQ: 1pcs
El tiempo de entrega: 1-5weeks
Marca: zmkj
Destacar:Dia 200mm Si Epi Wafer, 6 Inch Si Epi Wafer, AlGaN Gallium Arsenide Wafer
8inch 6inch AlGaN/GaN HEMT-on-HR Si Epiwafer GaN-on-Si Epiwafer for Micro-LED for RF application GaN Wafer Characteristic III-Nitride(GaN,AlN,InN) Gallium Nitride is one kind of wide-gap compound semiconductors. Gallium Nitride (GaN) substrate is a high-quality single-crystal substrate. It is made w... Ver más
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Dispositivo libre de GaN Substrates HVPE GaN Wafers Powder de la situación
Precio: 1000~3000usd/pc
MOQ: 1pcs
El tiempo de entrega: 1-5weeks
Marca: zmkj
Destacar:Free Standing Gallium Nitride Substrate, HVPE GaN Epi Wafer, Gallium Arsenide Wafer Powder Device
2inch GaN substrates template,GaN wafer for LeD,semiconducting Gallium Nitride Wafer for ld,GaN template, mocvd GaN Wafer,Free-standing GaN Substrates by Customized size,small size GaN wafer for LED, mocvd Gallium Nitride wafer 10x10mm,5x5mm, 10x5mm GaN wafer,Non-Polar Freestanding GaN Substrates(a-... Ver más
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obleas del HEMT de la plantilla AlGaN/GaN del FSS AlN de 4inch Dia100mm GaN Template NPSS
Precio: 1200~2500usd/pc
MOQ: 10pcs
El tiempo de entrega: 1-5weeks
Marca: zmkj
Destacar:gan wafer, gallium phosphide wafers
2inch GaN substrates template,GaN wafer for LeD,semiconducting Gallium Nitride Wafer for ld,GaN template, mocvd GaN Wafer,Free-standing GaN Substrates by Customized size,small size GaN wafer for LED, mocvd Gallium Nitride wafer 10x10mm,5x5mm, 10x5mm GaN wafer,Non-Polar Freestanding GaN Substrates(a-... Ver más
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El Si dopó la oblea sin impurificar del nitruro del galio del dispositivo del laser
Precio: 1000~2500usd/pc
MOQ: 1pcs
El tiempo de entrega: 1-5weeks
Marca: zmkj
Destacar:oblea del nitruro del galio del dispositivo del laser, Oblea sin impurificar del nitruro del galio, Oblea sin impurificar de Gan
2inch GaN substrates template,GaN wafer for LeD,semiconducting Gallium Nitride Wafer for ld,GaN template, mocvd GaN Wafer,Free-standing GaN Substrates by Customized size,small size GaN wafer for LED, mocvd Gallium Nitride wafer 10x10mm,5x5mm, 10x5mm GaN wafer,Non-Polar Freestanding GaN Substrates(a-... Ver más
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Grado 0.4m m Gan Wafer derecho libre de la investigación de 4 pulgadas para los semiconductores
Precio: 1000~2500usd/pc
MOQ: 2pcs
El tiempo de entrega: 1-5weeks
Marca: zmkj
Destacar:Oblea gan derecha libre, oblea gan de 0.4m m, semiconductores gan en la oblea de silicio
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Oblea modificada para requisitos particulares del nitruro del galio del tamaño 5x10m m M Axis Free Standing HVPE
Precio: 500usd/pc
MOQ: 10pcs
El tiempo de entrega: 1-5weeks
Marca: zmkj
Destacar:Oblea del nitruro del galio de HVPE, Oblea de M Axis Gallium Nitride, Oblea gan de M Axis
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El FE del Si dopó la oblea sin impurificar del nitruro del galio exhibición de la proyección del laser de 2 PULGADAS
Precio: 1000~2500usd/pc
MOQ: 1pcs
El tiempo de entrega: 1-5weeks
Marca: zmkj
Destacar:oblea gan, Oblea del arseniuro de galio
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2Inch 4inch GaN Gallium Nitride Wafer libre
MOQ: 5pcs
El tiempo de entrega: 1-5weeks
Marca: zmkj
Destacar:Oblea del nitruro del galio de 2 pulgadas, Sapphire Substrates Gallium Nitride Wafer, LED GaN Wafer
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substratos del zafiro 350um de la plantilla 430um del nitruro de aluminio de AlN del grueso 5um sic
Precio: by case
MOQ: 5pcs
El tiempo de entrega: 1-5weeks
Marca: zmkj
Destacar:oblea gan, obleas del fosfuro del galio
2inch 5um thickness AlN Aluminum Nitride Template on 430um sapphire/ 350um Sic substrates AlN Wafer Characteristic III-Nitride(GaN,AlN,InN) 2inch AlN template on sapphire or sic substrates, HVPE Gallium Nitride wafer,AlN substrates on GaN We offer single crystalline AlN substrates on c-plane sapphir... Ver más
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2 oblea del nitruro del galio III de 4 pulgadas 4-5 Um de 0,43 milímetros del zafiro substratos sic
Precio: by case
MOQ: 2pcs
El tiempo de entrega: 1-5weeks
Marca: zmkj
Destacar:oblea gan, Oblea del arseniuro de galio
2inch GaN substrates template,GaN wafer for LeD,semiconducting Gallium Nitride Wafer for ld,GaN template, mocvd GaN Wafer,Free-standing GaN Substrates by Customized size,small size GaN wafer for LED, mocvd Gallium Nitride wafer 10x10mm,5x5mm, 10x5mm GaN wafer,Non-Polar Freestanding GaN Substrates(a-... Ver más
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III - Nitruro oblea derecha libre de GaN de 2 PULGADAS para el dispositivo de poder de la exhibición de la proyección del laser
Precio: 1200~2500usd/pc
MOQ: 10pcs
El tiempo de entrega: 1-5weeks
Marca: zmkj
Destacar:oblea gan, Oblea del arseniuro de galio
2inch GaN substrates template,GaN wafer for LeD,semiconducting Gallium Nitride Wafer for ld,GaN template, mocvd GaN Wafer,Free-standing GaN Substrates by Customized size,small size GaN wafer for LED, mocvd Gallium Nitride wafer 10x10mm,5x5mm, 10x5mm GaN wafer,Non-Polar Freestanding GaN Substrates(a-... Ver más
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la oblea HVPE del nitruro del galio de 5x5/10x10 milímetro libera la plantilla derecha del microprocesador industrial
Precio: 1200~2500usd/pc
MOQ: 10pcs
El tiempo de entrega: 1-5weeks
Marca: zmkj
Destacar:oblea gan, obleas del fosfuro del galio
2inch GaN substrates template,GaN wafer for LeD,semiconducting Gallium Nitride Wafer for ld,GaN template, mocvd GaN Wafer,Free-standing GaN Substrates by Customized size,small size GaN wafer for LED, mocvd Gallium Nitride wafer 10x10mm,5x5mm, 10x5mm GaN wafer,Non-Polar Freestanding GaN Substrates(a-... Ver más
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2 oblea del nitruro del galio de la pulgada DSP SSP plantillas epitaxiales de AXIS del zafiro de un GaN de los substratos
Precio: by case
MOQ: 25pcs
El tiempo de entrega: 1-5weeks
Marca: zmkj
Destacar:oblea gan, Oblea del arseniuro de galio
2inch R-axis sapphire wafer for epi-ready test ,sapphire optical windows, R-axis 2inch sapphire epi-ready substrate 1. Description Sapphire is one of the hardest materials, and possesses very good transmission during the range of visible and near IR spectrum.It is widely used as optical window in i... Ver más
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2 pulgadas 4 pulgadas de base GaN LED azul verde cultivado en plano o PPS zafiro MOCVD DSP SSP
Precio: Negotiable
MOQ: Negotiable
El tiempo de entrega: Negotiable
Marca: ZMSH
Destacar:4inch GaN-based Blue Green LED, MOCVD GaN-based Blue Green LED, 2inch GaN-based Blue Green LED
2inch 4inch GaN-on-Sapphire Blue/Green LED Wafer Flat or PPS Sapphire MOCVD DSP SSP Description of GaN-on-Sapphire Blue/Green LED Wafer: GaN on Sapphire (GaN/Sapphire) wafers refers to a substrate material composed of a sapphire substrate with a layer of gallium nitride (GaN) grown on top. GaN is a ... Ver más
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8 pulgadas GaN-on-Si Epitaxy Wafer 110 111 110 N tipo P tipo de personalización Semiconductor RF LED
Precio: Negotiable
MOQ: Negotiable
El tiempo de entrega: 2-4weeks
Marca: ZMSH
8inch GaN-on-Si Epitaxy Wafer 110 111 110 N-type P-type Customization Semiconductor RF LED Description of GaN-on-Si Wafers: The 8-inch-diameter GaN-on-Si MMIC and Si CMOS wafers (above, left) are 3D integrated at the wafer scale. The two wafers are bonded face-to-face using a low-temperature oxide-o... Ver más
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GaN Gallium Nitride Wafer High Electron Mobility RF Devices Optoelectronics And LEDs
Precio: Negotiable
MOQ: Negotiable
El tiempo de entrega: 2-4 weeks
Marca: ZMSH
Destacar:Optoelectronics Gallium Nitride Wafer, LEDs GaN Wafer, RF Devices Gallium Nitride Wafer
GaN Gallium Nitride Wafer High Electron Mobility RF Devices Optoelectronics and LEDs GaN Gallium Nitride Wafer's abstract Gallium Nitride (GaN) wafers have emerged as a pivotal technology in various industries, owing to their unique material properties. With a wide bandgap, high electron mobility, a... Ver más
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Wafers InP 6'4'', Orientación: 111 100, SSP DSP, Wafer de semiconductores InP de alta pureza
Precio: Negotiable
MOQ: 1
El tiempo de entrega: 2-4weeks
Marca: ZMSH
Product Description: Our InP (Indium Phosphide) semiconductor wafers, renowned for their exceptional electronic and optoelectronic properties, have found extensive applications in communications, optics, and electronics. Utilizing advanced growth and processing technologies, we ensure the high purit... Ver más
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InP Wafers SSP DSP VGF Wafers tipo N tipo P tipo InP Alta movilidad de electrones Alta conductividad térmica
Precio: Negotiable
MOQ: 1
El tiempo de entrega: 2-4 weeks
Marca: ZMSH
Product Description: Our InP (Indium Phosphide) wafers are renowned for their low defect density and high performance, widely used in optoelectronics and microelectronics. These wafers are crafted using precision growth techniques, ensuring the material's high purity and excellent crystal structure,... Ver más
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2" Sapphire Based GaN Templates Semiconductor Substrate GaN-En-SIC
Precio: by case
MOQ: 2pcs
El tiempo de entrega: in 20days
Marca: ZMKJ
Destacar:GaN Templates Semiconductor Substrate, 2" Sapphire Based Semiconductor Substrate, GaN-On-SiC Semiconductor Substrate
2inch 4inch 4" 2' Sapphire based GaN templates GaN film on the sapphire substrate GaN-On-Sapphire GaN wafers GaN substrates GaN windows Properties of GaN 1) At room temperature, GaN is insoluble in water, acid and alkali. 2)Dissolved in a hot alkaline solution at a very slow rate. 3) NaOH, H2SO... Ver más
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