Substrato del semiconductor
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substrato Dsp Ssp de la oblea del óxido del galio de 1inch 2inch Beta Coefficient Ga 2O3
Precio: by case
MOQ: 5pcs
El tiempo de entrega: in 30days
Marca: ZMKJ
Destacar:oblea del óxido del galio 2inch, Substrato de la oblea de Beta Coefficient Ga 2O3, Substrato del semiconductor del óxido del galio
La oblea del óxido del galio de Epiwafers Beta Coefficient-Ga 2O3 del óxido del galio dopó el substrato Dsp Ssp del cuadrado del magnesio Fe3+
El óxido del galio (Ga2O3) tiene una energía grande de banda-Gap, y la se puede crecer de una fuente del derretimiento. Como consecuencia, los substrat... Ver más
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900nm 4 las películas finísimas del niobato del litio de la pulgada LiNbO3 acodan en el substrato de silicio
Precio: by case
MOQ: 2pcs
El tiempo de entrega: in 30days
Marca: ZMKJ
Destacar:Oblea del niobato del litio LiNbO3, Oblea del niobato del litio de 4 pulgadas, niobato del litio 900nm en aislador
4inch 6inch 300-900 películas finas del niobato LiNbO3 LN del litio del nanómetro (LNOI) en la oblea de silicio
Dirección del uso:
· Moduladores electrópticos · Líneas de retardo
· Interruptores electrópticos de Q · X-BAR
· Dispositivos del modulador de la fase · La óptic... Ver más
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2 el grueso cristalino de la oblea 0,3 de Gap del substrato del fosfuro del galio de la pulgada traslapó la superficie
Precio: BY CASE
MOQ: 5PCS
El tiempo de entrega: 2-4weeks
Marca: zmkj
Destacar:substrato de la oblea, oblea de semiconductor
cristales substrato cristalino, oblea del fosfuro del galio de 2-6 pulgadas (Gap) de Gap
La poder de ZMKJ proporciona la oblea de 2inch Gap – fosfuro del galio que son crecidas por LEC (Czochralski encapsulado líquido) como grado epi-listo o mecánico con el tipo de n, el tipo de p ... Ver más
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El tipo de 6 pulgadas N pulió la oblea del óxido de silicio de la oblea de silicio DSP SiO2
Precio: by quantites
MOQ: 25pcs
El tiempo de entrega: 1-4weeks
Marca: ZMSH
Destacar:Tipo oblea de N de silicio pulida, Oblea del óxido de silicio SiO2, DSP pulió la oblea de silicio
el N-tipo de 6inch 8inch 2inch 1inch FZ CZ pulió la oblea del óxido de silicio de las obleas de la oblea de silicio DSP SiO2
Obleas solas y doble-pulidas de silicio de la pulgada de gran pureza pulida 1-12 de la oblea (11N) de CzochralskiTamaños 1" 2" 3" 4" 5" 6" 8" 12" y obleas esp... Ver más
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2 el silicio de la película de la pulgada 1000nm AlN basó el substrato del semiconductor del nitruro de aluminio
Precio: by case
MOQ: 3pcs
El tiempo de entrega: in 30days
Marca: ZMKJ
Destacar:Substrato del semiconductor de la película de AlN, Substrato del nitruro de aluminio de AlN, oblea del nitruro de aluminio 1000nm
4inch 6inch Silicio-basó la película de las plantillas 500nm AlN de AlN en el substrato de silicio
Usos de Plantilla de AlN
la tecnología de semiconductor Silicio-basada ha alcanzado sus límites y no podía satisfacer los requisitos del futuro
dispositivos electrónicos. Como clase típica de ... Ver más
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Oblea sin impurificar del arseniuro de galio de 2INCH 3INCH 4Inch semi que aísla el substrato del GaAs para el LED
Precio: by case
MOQ: 5pcs
El tiempo de entrega: 2-4weeks
Marca: zmkj
Destacar:substrato de la oblea, oblea de semiconductor
tipo oblea de 2inch/3inch /4inch /6inch S-C-N del GaAs del arseniuro de galio de /Si-doped del semi-aislamientoDescripción de productoNuestro 2' ‘a 6" ‘cristal semiconductor y semiaislante y oblea del GaAs se utiliza violentamente en el uso del uso del circuito integrado del semiconductor y de la il... Ver más
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Oblea dopada Si del GaAs del arseniuro de galio del substrato del semiconductor para Microwave/HEMT/PHEMT
Precio: by case
MOQ: 5pcs
El tiempo de entrega: 2-4weeks
Marca: zmkj
Destacar:substrato del gasb, oblea de semiconductor
el tipo de 2inch/3inch /4inch /6inch S-C-N Si-dopó la oblea del GaAs del arseniuro de galio Descripción de producto
Obleas del arseniuro de galio (GaAs)
PWAM desarrolla y fabrica el cristal y la oblea del arseniuro del substrato-galio del semiconductor compuesto. Hemos utilizado tecnología avan... Ver más
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Obleas 350 del fosfuro de indio del INP del solo cristal - grueso 650um
Precio: by case
MOQ: 3pcs
El tiempo de entrega: 2-4weeks
Marca: zmkj
Destacar:Solo Crystal Indium Phosphide Wafers, obleas del fosfuro de indio 650um, Obleas del substrato del semiconductor del INP
el TIPO substrato S+/dopado las obleas Zn+ /Fe + fosfuro de las obleas 3inch 4inch N/P del INP 2inch del semiconductor del INP de indio basó el solo substrato del INP Crystal Wafer Dummy Prime Semiconductor de la pulgada 350-650 de la oblea 2 inch/3 inch/4 del INP de Crystal Indium Phosphide Wafers ... Ver más
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Oblea cristalina dopada Zn industrial del fosfuro de indio del INP del FE del substrato S del semiconductor sola
Precio: by case
MOQ: 3pcs
El tiempo de entrega: 2-4weeks
Marca: zmkj
Destacar:substrato del gasb, substrato de la oblea
2inch/3inch/4inch S/Fe/Zn dopó el fosfuro de indio del INP solo Crystal Wafer
El fosfuro de indio (INP) es un material importante del semiconductor compuesto con las ventajas de la alta velocidad electrónica de la deriva del límite, de la buena resistencia de radiación y de la buena conduct... Ver más
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2-6 oblea del substrato del solo cristal del substrato LiNbO3 del semiconductor de la pulgada
Precio: by case
MOQ: 25pcs
El tiempo de entrega: 2-4weeks
Marca: zmkj
Destacar:substrato de la oblea, oblea de semiconductor
4inch oblea del substrato del niobato LiNbO3 del litio del diámetro 100m m, oblea de LN para la sierra y óptico, lingote cristalino del grado LiNbO3 de la SIERRA
Descripción:
El niobato del litio (LiNbO3) es un material ferroeléctrico conveniente para una variedad de usos. Su flexibilidad
es ... Ver más
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El cristal del tantalato LiTaO3 del LT litio de Y-42°, Fe+ dopó la oblea del substrato 300um para vio óptico
Precio: by case
MOQ: 25pcs
El tiempo de entrega: 2-4weeks
Marca: zmkj
Destacar:substrato de la oblea, oblea de semiconductor
el cristal/Fe+ del tantalato de LT Lithium de 2inch/3inch/4inch/6inch Y-42°/36°/128° (LiTaO3) dopó el tipo oblea del substrato de 250um/300um
Nombre de producto: Descripción cristalina del substrateProduct del tantalato del litio (LiTaO3): Cristal del tantalato del litio el solo (LiTaO3) tiene prop... Ver más
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Oblea de 6 de la pulgada plantillas de Sapphire Based AlN para la ventana del zafiro de la oblea del zafiro de los dispositivos de 5G BAW
Precio: by case
MOQ: 5pcs
El tiempo de entrega: in 30days
Marca: ZMKJ
Destacar:El zafiro basó las plantillas de AlN, Oblea del zafiro de 6 pulgadas, Plantillas de AlN de 6 pulgadas
el zafiro de 2inch 4iinch 6Inch basó la película de AlN de las plantillas de AlN en la oblea del zafiro de la ventana del zafiro del substrato del zafiro
Usos de Plantilla de AlN
la tecnología de semiconductor Silicio-basada ha alcanzado sus límites y no podía satisfacer los requisitos del f... Ver más
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Obleas de GE del substrato del semiconductor del germanio de 4 pulgadas para los lasers infrarrojos del CO2
Precio: by specification
MOQ: 3PCS
El tiempo de entrega: 2-4weeks;
Marca: ZMSH
Destacar:Substrato del semiconductor del germanio, Substrato del germanio de las obleas de GE, Substrato de la oblea de silicio de los lasers del CO2
4inch N-tipo ventana de GE del substrato del germanio de las obleas de GE para los lasers infrarrojos del CO2
El material de GE introduce
Entre los materiales ópticos, los materiales del germanio son cada vez más ampliamente utilizados en tecnologías del infrarrojo y de la visión nocturna.... Ver más
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2inch 325um GA-dopó las obleas de GE del substrato del germanio para el infrarrojo
Precio: by specification
MOQ: 3PCS
El tiempo de entrega: 2-4weeks;
Marca: ZMSH
Destacar:El GA dopó el substrato del germanio, lentes del germanio 10um, Ventana de GE para los lasers infrarrojos del CO2
4inch N-tipo ventana de GE del substrato del germanio de las obleas de GE para los lasers infrarrojos del CO2
El material de GE introduce
Entre los materiales ópticos, los materiales del germanio son cada vez más ampliamente utilizados en tecnologías del infrarrojo y de la visión n... Ver más
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tipo pedazo cuadrado SEM del microscopio electrónico de exploración de 10x10m m P de la oblea de silicio
Precio: by quantites
MOQ: 25pcs
El tiempo de entrega: 1-4weeks
Marca: ZMSH
Destacar:Substratos de la oblea de silicio del microscopio electrónico, tipo oblea de 10x10m m P de silicio, Oblea de silicio pulida cuadrado
2 pulgadas, 3 pulgadas, 4 pulgadas, 5 pulgadas, 6 pulgadas, 8 pulgadas, 12 pulgadas, FZ CZ, tipo N, oblea de silicio pulido, obleas DSP SiO2, oblea de óxido de silicio
Microscopio electrónico de barrido de 1 pulgada, 2 pulgadas, 10x10mm, oblea de silicio, pieza cuadrada pequeña SEM
Oblea de sil... Ver más
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El substrato GA del semiconductor de las obleas del diámetro 50.8m m GE dopó el tipo 500um del substrato N
Precio: by case
MOQ: 5pcs
El tiempo de entrega: 2-4weeks
Marca: zmkj
Destacar:Tipo oblea de N del GaAs Epi, El GA dopó el substrato de la oblea de silicio, Substrato de silicio de las obleas de GE
2INCH dia50.8mm GA dopó el N-tipo obleas del substrato 4inch de GE de 500um GE
Oblea de GE para el uso microelectrónico
El tipo de N, Sb dopó la oblea de GE
Tipo de N, oblea sin impurificar de GE
El tipo de P, GA dopó la oblea de GE
Tamaño disponible: 2" - 6"
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Del OEM sola Crystal Ge lente óptica del diámetro 25.4m m
Precio: by case
MOQ: 10pcs
El tiempo de entrega: 2-4weeks
Marca: zmkj
Destacar:Solo Crystal Gallium Nitride Wafer, Oblea del nitruro del galio del diámetro 25.4m m, Oblea del nitruro del galio del OEM
ventanas solo Crystal Germanium Ge Wafer de dia25.4mm GE para el dispositivo de semiconductor
Descripción de producto
ZMKJ es un proveedor mundial de la sola lente cristalina del germanio y solo lingote cristalino de GE, tenemos una ventaja fuerte en el abastecimiento de la sola oblea ... Ver más
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Tipo substrato de la pulgada N de VGF 6 del semiconductor del GaAs para el crecimiento epitaxial
Precio: BY case
MOQ: 3PCS
El tiempo de entrega: 2-6weeks
Marca: ZMSH
Destacar:Substrato del semiconductor del GaAs, Substrato del semiconductor de VGF, tipo substrato del crecimiento epitaxial n
N-tipo oblea primera de VGF 2inch 4inch 6inch del GaAs del grado para el crecimiento epitaxial
La oblea del GaAs (arseniuro de galio) es una alternativa ventajosa al silicio que se ha estado desarrollando en la industria del semiconductor. Menos consumo de energía y más eficacia ofreci... Ver más
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4" Sapphire Based GaN Templates Semiconductor Substrate
Precio: by case
MOQ: 5pcs
El tiempo de entrega: in 30days
Marca: ZMKJ
Destacar:5G vio plantillas gan, 4" plantillas gan, Substrato del semiconductor de GaN
2inch 4inch 4" zafiro basó la película de GaN de las plantillas de GaN en el substrato del zafiro
Propiedades de GaN
Propiedades químicas de GaN
1) En la temperatura ambiente, GaN es insoluble en agua, ácido y álcali.
2)Disuelto en una solución alcalina caliente a una tarifa muy lent... Ver más
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6" silicio basó la película de las plantillas 500nm AlN de AlN en el substrato de silicio
Precio: by case
MOQ: 3pcs
El tiempo de entrega: in 30days
Marca: ZMKJ
Destacar:Película de AlN en el substrato de silicio, plantillas de 500nm AlN, 6" plantillas de AlN
diámetro 150m m 8inch 4inch 6inch Silicio-basó la película de las plantillas 500nm AlN de AlN en el substrato de silicio
Usos de Plantilla de AlN
la tecnología de semiconductor Silicio-basada ha alcanzado sus límites y no podía satisfacer los requisitos del futuro
dispositivos electrónico... Ver más
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