Transistor de poder del silicio
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Transistor del poder más elevado PNP del transistor de poder del silicio del SGS para los componentes electrónicos
Precio: Negotiated
MOQ: 1000-2000 PCS
El tiempo de entrega: 1 - 2 Weeks
Marca: OTOMO
Destacar:Transistor de poder del silicio del SGS, Componentes electrónicos del transistor del poder más elevado PNP, transistor de poder del silicio 160V
TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors 2N5401 TRANSISTOR (PNP) FEATURE Ÿ Switching and Amplification in High Voltage Ÿ Applications such as Telephony Ÿ Low Current Ÿ High Voltage ORDERING INFORMATION Part Number Package Packing Method Pack Quantity 2N5401 TO-92 Bulk 1000pcs/Bag 2N5401-TA TO-92 Tape 2... Ver más
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transistor de poder del transistor de poder del silicio 600mA NPN de gran intensidad
Precio: Negotiated
MOQ: 1000-2000 PCS
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Marca: OTOMO
Destacar:transistor de poder del silicio 600mA, Transistor de poder del silicio de gran intensidad, Transistor de poder de NPN de gran intensidad
SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors A42 TRANSISTOR (NPN) FEATURE Low Collector-Emitter Saturation Voltage High Breakdown Voltage Marking :D965A MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 310 V VCEO Collector-Emitter Voltage 305 V VEB... Ver más
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salida baja del transistor de gran intensidad del transistor de poder del silicio 200v
Precio: Negotiated
MOQ: 1000-2000 PCS
El tiempo de entrega: 1 - 2 Weeks
Marca: OTOMO
Destacar:transistor de poder del silicio 200v, Salida baja del transistor de poder del silicio, Salida baja del transistor de gran intensidad
MMBD1501A LOW LEAKAGE DIODE SOT-23 Plastic-Encapsulate Diodes FEATURE Low Leakage High Conductance Marking :A11 MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Typical Characterisitics Package Outline Dimensions Symbol Dimensions In ... Ver más
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