Semiconductores discretos
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KBL410 KBL610 Puente rectificador de silicio KBPC610 Productos semiconductores discretos
Precio: Negotiated
MOQ: 10pieces
El tiempo de entrega: 2-15days
Marca: MDD
Destacar:Rectificador de puente de silicio KBL610, Rectificador de puente de silicio KBL410, Productos semiconductores discretos KBPC610
Serie KBL410 KBL610 KBU610 KBU810 KBU1010 KBU1510 KBU2510 KBPC610 KBL
Diodos rectificadores de puente de silicio - Rectificadores de puente - Productos semiconductores discretos Transistores
Descripción:
Rectificador de puente de silicio de orificio pasante, serie KBL, tipo KBL410, 4 pines, v... Ver más
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V20PWM45 Vishay Semiconductor TMBS Trench MOS Barrera Schottky Rectificador
Precio: Negotiated
MOQ: 10
El tiempo de entrega: 2-15days
Marca: Vishay General Semiconductor
Destacar:V20PWM45 Vishay Semiconductor, Vishay Semiconductor TMBS Trench, MOS Barrier Schottky Rectifier
V20PWM45 V20PWM45C-M3/I Vishay Semiconductor Alta densidad de corriente TMBS Trench MOS Barrera Schottky Rectificador DPAK Productos de semiconductores discretos V20PWM45:Rectificador de alta densidad de corriente de montaje en superficie TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Ultra bajo VF = 0,35 V a ... Ver más
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Semiconductores discretos bipolares del transistor TIP122 TIP127 TIP142P NPN PNP
Precio: Negotiated
MOQ: 10pieces
El tiempo de entrega: 2-15days
Marca: STMicroelectronics
Destacar:Transistor TIP142P NPN PNP, Transistor TIP122 TIP127 NPN PNP, Semiconductores discretos bipolares
TIP35C TIP41C TIP42C TIP122 TIP127 TIP142P
Transistores complementarios NPN - PNP Productos semiconductores discretos bipolares
Transistores de potencia complementarios
Descripción:
Los dispositivos se fabrican en tecnología planar con disposición en “isla base”.Los transistores resultantes ... Ver más
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Rectificador de puente de cocina de inducción D15XB100 15A 1000V SIP4
Precio: Negotiated
MOQ: 10
El tiempo de entrega: 2-15days
Marca: SHINDENGEN
Destacar:Rectificador de puente de cocina de inducción D15XB100, rectificador de puente de cocina de inducción 15A 1000V, rectificador de puente SIP4 para cocina de inducción
Rectificadores de puente D15X100 D15XB100 SHINDENGEN 15A 1000V SIP4 para cocina de inducción
Especificaciones técnicas del producto
número de parte
D15X100
Número de parte base
D15XB100
RoHS de la UE
Cumple con la exención
ECCN (EE. UU.)
EAR99
Estado de la pieza
Activo
HT... Ver más
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06N90E FMV06N90E FMH06N90E Semiconductores discretos 900V 6A
Precio: Negotiated
MOQ: 10
El tiempo de entrega: 2-15days
Marca: FUJI
Destacar:Semiconductores discretos FMH06N90E, Semiconductores discretos FMV06N90E, 06N90E FMV06N90E
06N90E FMV06N90E FMH06N90E Mosfet 900V 6A TO 220F Componentes electrónicos
06N90E FMV06N90E FMH06N90E Mosfet 900V 6A A 220F
Especificaciones técnicas del producto
número de parte
FMV06N90E FMH06N90E
Número de parte base
06N90E
RoHS de la UE
Cumple con la exención
ECCN (EE. UU.)
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Semiconductores discretos del canal N de GT50N322A 50N322 IGBT Soporte de orificio pasante
Precio: Negotiated
MOQ: 10
El tiempo de entrega: 2-15days
Marca: Toshiba America Electronic Components
Destacar:Semiconductores discretos de canal N IGBT 50N322, canal N GT50N322A IGBT, canal N IGBT
GT50N322A 50N322 Toshiba America Componentes electrónicos IGBT N-Channel 1000V 3 pines TO-3P(N) Componentes IGBT DISCRETOS
Especificaciones técnicas del producto
número de parte
GT50N322A
Número de parte base
50N322
RoHS de la UE
Cumple con la exención
ECCN (EE. UU.)
EAR99
Esta... Ver más
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Infineon HEXFET Power MOSFET N Canal 55V 30A DPAK IRLR3915TRPBF
Precio: Negotiated
MOQ: 10
El tiempo de entrega: 2-15days
Marca: Infineon Technologies/International Rectifier IOR
Destacar:MOSFET de potencia HEXFET de Infineon, MOSFET de canal N MOSFET 55V 30A, MOSFET de potencia HEXFET de 55V 30A
IRLR3915TRPBF Infineon Technologies/International Rectifier IOR HEXFET MOSFET N-Channel 55V 30A DPAK Productos de semiconductores discretos
Canal N 55 V 30 A (Tc) 120 W (Tc) Montaje en superficie D-Pak
Descripción
Este MOSFET de potencia HEXFET® utiliza las últimas técnicas de procesamiento... Ver más
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IRFB4310PBF 100V 130A FET HEXFET Mosfet de potencia IRFB7440PBF 40V 120A
Precio: Negotiated
MOQ: 10pieces
El tiempo de entrega: 2-15days
Marca: Infineon Technologies/International Rectifier IOR
Destacar:100V 130A FET HEXFET Mosfet de potencia, IRFB4310PBF, IRFB7440PBF
IRFB7440PBF 40V 120A IRFB4310PBF 100V 130A IRFB4115PBF 150v 104A Transistores TO-220AB HEXFET FET MOSFET
Transistores Canal N 180A 200W Agujero pasante TO-220AB HEXFET FET MOSFET
---IRFB7440PBF 40V 120A IRFB4310PBF 100V 130A IRFB4115PBF 150v 104A
Descripción:Este MOSFET de potencia HEXFET® ... Ver más
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IRF1404ZPBF Transistor de canal N 180A 200W HEXFET FET MOSFET
Precio: Negotiated
MOQ: 10pieces
El tiempo de entrega: 2-15days
Marca: Infineon Technologies/International Rectifier IOR
Destacar:IRF1404ZPBF Transistor de canal N, 180A 200W HEXFET FET MOSFET, Transistor de canal N 180A 200W
IRF1404ZPBF Transistores Canal N 180A 200W Agujero pasante TO-220AB HEXFET FET MOSFET
Canal N 180A (Tc) 200W (Tc) Orificio pasante TO-220AB Especificación:
Categoría
Productos semiconductores discretos
Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricant... Ver más
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BTA16-800CW BTA16 TRIAC Tiristor 800V 16A Semiconductores discretos
Precio: Negotiated
MOQ: 10pieces
El tiempo de entrega: 2-15days
Marca: STMicroelectronics
Destacar:Semiconductores discretos de 800 V 16 A, tiristor TRIAC BTA16, BTA16-800CW BTA16
BTA16-800CW TRIAC Estándar 800 V 16 A Orificio pasante TO-220 Productos semiconductores discretos Tiristores --TRIAC Estándar 800 V 16 A Orificio pasante TO-220 T1610, T1635, T1650 BTA16, BTB16Snubberless™, nivel lógico y Triac estándar de 16 A Hoja de datos Aplicaciones• Versiones sin amortiguadore... Ver más
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Semiconductor de potencia del transistor H30R1602 de IHW30N160R2 IGBT
Precio: Negotiated
MOQ: 10pieces
El tiempo de entrega: 2-15days
Marca: Infineon Technologies/International Rectifier IOR
Destacar:Transistor IHW30N160R2 IGBT, semiconductor de potencia H30R1602, IHW30N160R2
IHW30N160R2 IGBTs Transistores H30R1602 Serie de conmutación suave Semiconductores de potencia IC IHW30N160R2FKSA1Serie de conmutación suave
Aplicaciones:
• Cocina inductiva
• Aplicaciones de conmutación suave
Descripción:
TrenchStop® de conducción inversa (RC-)IGBT con diodo de cuerpo mono... Ver más
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Semiconductores discretos IGBT de alto voltaje IXYS IXGH24 IXGH24N170
Precio: Negotiated
MOQ: 10pieces
El tiempo de entrega: 2-15days
Marca: IXYS
Destacar:IGBT de alto voltaje IXGH24, IGBT de alto voltaje IXYS, Semiconductores discretos IGBT
IXGH24N170 IXYS IGBT de alto voltaje IXGH24 IGBT 1700V 50A 250W TO247AD Productos semiconductores discretos
Especificación: Alto voltaje IGBT NPT 1700 V 50 A 250 W Orificio pasante TO-247AD
número de parte
IXGH24N170
Categoría
Productos semiconductores discretos
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Semiconductores discretos BJT del transistor bipolar de PBHV8540X PBHV8540 Nexperia
Precio: Negotiated
MOQ: 10
El tiempo de entrega: 2-15days
Marca: Nexperia USA Inc.
Destacar:PBHV8540X, PBHV8540, Transistor bipolar de Nexperia BJT
Transistor bipolar 500V 0,5 de PBHV8540X PBHV8540 Nexperia (BJT) UN NPN un transistor bajo de alto voltaje de NPN VCEsat (BISS)
Transistor bajo de alto voltaje discreto de los productos-UNo NPN VCEsat (BISS) del semiconductor
Descripción:
Brecha baja de alto voltaje de NPN VCEsat en pequ... Ver más
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FETs de los transistores del MOSFET 49V 80A del canal N de BTS282Z E3230 TO220-7
Precio: Negotiated
MOQ: 10pieces
El tiempo de entrega: 2-15days
Marca: Infineon Technologies/International Rectifier IOR
Destacar:FETs de los transistores de 49V 80A, FETs de los transistores del MOSFET del canal N
FETs de los transistores del MOSFET 49V 80A del canal N de BTS282Z E3230 TO220-7
MOSFET del poder BTS282ZE3230AKSA2 de Infineon Technologies. Su disipación de poder máxima es 300000 mW.
Para asegurar piezas no son dañados por el empaquetado a granel, este producto viene en el tubo que empaque... Ver más
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Mosfets discretos del poder de los semiconductores SIHF10N40D-E3 del transistor del canal N
Precio: Negotiated
MOQ: 10
El tiempo de entrega: 2-15days
Marca: Vishay Semiconductor
Destacar:Mosfets del poder SIHF10N40D-E3, Transistor del canal N, Semiconductores discretos SIHF10N40D-E3
El transistor del canal N de los mosfets del poder SIHF10N40D-E3 actúa en modo del aumentoLa disipación de poder máxima del SIHF10N40D-E3 de Vishay es 33000 mW. Este transistor del MOSFET del canal N actúa en modo del aumento.
Este transistor del MOSFET tiene una temperatura de funcionamiento mínim... Ver más
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Semiconductores discretos IRF1404 IRF1404PBF N Channel Power MOSFET 40V
Precio: Negotiated
MOQ: 10
El tiempo de entrega: 2-15days
Marca: INFINEON
Destacar:MOSFET de potencia de canal N IRF1404PBF, MOSFET de potencia de canal N IRF1404, semiconductores discretos MOSFET 40V
IRF1404 IRF1404PBF IRF1404Z IRF1404ZPBF MOSFET de potencia de canal N único de 40 V en un paquete TO-220
Acerca de IRF1404PBF:
Resumen de características
IRF1404 MOSFET de potencia de canal N único de 40 V en un paquete TO-220
Estructura de celda plana para SOA amplia
Optimizado para la más a... Ver más
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Amplificador controlado IC TDF8546 DF8546JV/N2Z TDF8546J/N2 TDF8546JS del autobús de I2C
Precio: Negotiated
MOQ: 10
El tiempo de entrega: 2-15days
Marca: Philip
Destacar:Amplificador IC de DF8546JV/N2Z, Amplificador IC de TDF8546J, Amplificador controlado IC del autobús
Amplificador controlado IC de la eficacia del autobús de TDF8546 DF8546JV/N2Z TDF8546J/N2 TDF8546JS I2C mejor
Resumen de características
El TDF8546 es uno de una nueva generación de amplificadores de potencia audios Puente-atados patio complementario de la carga (BTL) previstos para los us... Ver más
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IKW75N60TXK IKW75N60 K75T60 IGBT DISCRETO por Infineon Technologies
Precio: Negotiated
MOQ: 10
El tiempo de entrega: 2-15days
Marca: Infineon Technologies
Destacar:K75T60 Infineon Igbt discreto, IKW75N60TXK Infineon Igbt discreto
IKW75N60TXK IKW75N60 K75T60 IGBT DISCRETO por Infineon Technologies
IGBT en TRENCHSTOP™ y la tecnología de Fieldstop con el emisor antiparalelo de la recuperación rápida suave lo controlaron diodo
Usos:
Convertidores de frecuenciaFuente de alimentación ininterrumpida
Un número de parte... Ver más
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Componentes electrónicos del módulo de poder de BSM50GD120DN2 BSM50GD120DN2BOSA1 IGBT
Precio: Negotiated
MOQ: 10pieces
El tiempo de entrega: 2-15days
Marca: Infineon Technologies
Destacar:Módulo de poder de BSM50GD120DN2 IGBT, Módulo de poder de BSM50GD120DN2BOSA1 IGBT
Componentes electrónicos del módulo de poder de BSM50GD120DN2 BSM50GD120DN2BOSA1 IGBT
BSM 50 GD 120 DN2 SeriseDescripción:• Módulo de poder
• lleno-puente trifásico
• Incluyendo rápidamente ande sin embragar los diodos
• Paquete con la placa con base metálica aislada
Especificación del módu... Ver más
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PM080P150CG Powercube Mosfet de tensión media y media
Precio: Negotiated
MOQ: 10pcs
El tiempo de entrega: Negotiable
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PM080P150CG Powercube Mosfet de voltaje medio para el cuidado de la salud, cargador inalámbrico
Aplicaciones:
atención médica, cargador inalámbrico
PS... Ver más
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