Sensor fotoeléctrico infrarrojo
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S2386-5K Sensor de fotodiodo de silicio Sensor fotoeléctrico infrarrojo 30 V Fotometría de propósito Geberal universal
Precio: Negotiable
MOQ: 1
El tiempo de entrega: 3-5work days
Marca: Hamamatsu
Destacar:Sensor fotoeléctrico infrarrojo de S2386-5K, Sensor fotoeléctrico infrarrojo 30 V, Sensor del fotodiodo del silicio
Descripción del producto:
S2386-5K Sensor de fotodiodo de silicio Sensor fotoeléctrico infrarrojo 30 V Fotometría de propósito Geberal universal
Características:
Apto para la luz visible a la banda infrarroja cercana, determinación fotométrica universal
Características del producto
● Alta sensibil... Ver más
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S12053-02 Fotodiodo de avalancha de silicio tipo de longitud de onda corta para banda de 600 nm
Precio: Negotiable
MOQ: 1
El tiempo de entrega: 3-5work days
Marca: Hamamatsu
Destacar:Diodo de la foto del silicio S12053-02, Diodo de la foto del silicio de poco ruido, Fotodiodo de la avalancha de APD
Descripción del producto:
S12053-02 Fotodiodo de avalancha de silicio tipo de longitud de onda corta para banda de 600 nm
Características:
APD de tipo onda corta
Tiene una alta sensibilidad y bajo ruido en la banda ultravioleta a visible
Coeficiente de temperatura de la tensión de ruptura (valor t... Ver más
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S8746-01 Preamplificadores de fotodiodo de pin de silicio Sensor fotoeléctrico infrarrojo Resistor integrado
Precio: Negotiable
MOQ: 1
El tiempo de entrega: 3-5work days
Marca: Hamamatsu
Destacar:Sensor fotoeléctrico infrarrojo S8746-01, Sensor fotoeléctrico infrarrojo de los preamplificadores, Silicio integrado Pin Photodiode del resistor
Descripción del producto:
S8746-01 Preamplificadores de fotodiodo de pin de silicio Sensor fotoeléctrico infrarrojo Resistor integrado
Características:
Un fotodiodo con resistencias de retroalimentación integradas y condensadores para preamplificadores
S8746-01 es un sensor de bajo ruido compuesto... Ver más
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S12698-02 Fotodiodo de silicio de alta resistencia a los rayos UV para el monitoreo de los rayos UV
Precio: Negotiable
MOQ: 1
El tiempo de entrega: 3-5work days
Marca: Hamamatsu
Destacar:S12698-02, Fotodiodo del monitor de la luz UV, Fotodiodo aumentado ULTRAVIOLETA
Descripción del producto:
S12698-02 Fotodiodo de silicio de alta resistencia a los rayos UV para el monitoreo de los rayos UV
Características:
Alta tolerancia a la luz UV, adecuada para fotodiodos de vigilancia de la luz UV
La serie S12698 es un fotodiodo de silicio que utiliza una estructura sin ... Ver más
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S1227-1010BQ Sensor de infrarrojos fotoeléctricos de fotodiodo de silicio para luz ultravioleta a visible
Precio: Negotiable
MOQ: 1
El tiempo de entrega: 3-5workingdays
Marca: Hamamatsu
Destacar:S1227-1010BQ, Sensor infrarrojo fotoeléctrico
Descripción del producto:
S1227-1010BQ Sensor de infrarrojos fotoeléctricos de fotodiodo de silicio para luz ultravioleta a visible
Características:
Apto para la luz ultravioleta a la luz visible, determinación fotométrica de precisión;Suprimción de la sensibilidad de la banda infrarroja
Alta sens... Ver más
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R9533 Sensor fotoeléctrico infrarrojo de 185 nm UVTRON Detector de llamas Detección de incendios para el público
Precio: Negotiable
MOQ: 1
El tiempo de entrega: 3-5work days
Marca: Hamamatsu
Destacar:Sensor fotoeléctrico infrarrojo R9533, Sensor fotoeléctrico infrarrojo 185 nanómetro, Detector de llama de UVTRON
Descripción del producto:
R9533 Sensor fotoeléctrico infrarrojo de 185 nm UVTRON Detector de llamas Detección de incendios para el público
Características:
R9533 es un detector de llamas de ventana a ventana (luz UV proveniente de la cara final del tubo) que es fácil de instalar en la mayoría de l... Ver más
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G8370-81 sensor fotoeléctrico infrarrojo PDL bajo, InGaAs PIN Photodiode
Precio: Negotiable
MOQ: 1
El tiempo de entrega: 3-5work days
Marca: Hamamatsu
Destacar:Sensor fotoeléctrico infrarrojo G8370-81, Sensor fotoeléctrico infrarrojo PDL bajo, Fotodiodo del PIN de InGaAs
Descripción de producto:
G8370-81 InGaAs PIN Photodiode Low PDL (pérdida dependiente de la polarización)
Características:
PDL bajo (pérdida dependiente de la polarización)
El fotodiodo G8370-81 del PIN de InGaAs tiene PDL bajo (pérdida dependiente de la polarización), resistencia del shitter... Ver más
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L9657-03 Tubo de transmisión UV rojo importado con el embalaje original
Precio: Negotiable
MOQ: 1
El tiempo de entrega: 3-5work days
Marca: Hamamatsu
Destacar:Tubo del transmisor L9657 03, Tubo ULTRAVIOLETA rojo del transmisor, Solo transmisor del tubo L9657 03
L9657 03 Tubo de transmisión UV rojo importado con el embalaje original
Tubo de transmisión UV rojo L9657-03 importado con el embalaje original
Características:
1) Nitruro de galio de aluminio como material base
2) Fotodiodo de Schottky
3) Operación en modo fotovoltaico
4) Ceguera de buen día
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R9454 sensor fotoeléctrico infrarrojo UVTRON, detector fotométrico de la llama
Precio: Negotiable
MOQ: 1
El tiempo de entrega: 3-5work days
Marca: Hamamatsu
Destacar:Sensor fotoeléctrico infrarrojo R9454, Sensor fotoeléctrico infrarrojo UVTRON, Detector fotométrico de la llama
Descripción de producto:
Incidente de la luz ultravioleta del detector de llama R9454 del lado del tubo (UVTRON)
Características:
R9454 es un detector de llama de la lado-ventana con un perfil similar al R2868 UVTRON (luz UV que viene del lado del cuerpo del tubo). También tiene la alta sensi... Ver más
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Soluciones para el tratamiento de la radiación infrarroja.
Precio: Negotiable
MOQ: 1
El tiempo de entrega: 3-5work days
Destacar:S1226-18BQ Silicon Photodiodes, NIR Sensitivity Silicon Photodiodes, S1226-18BK Silicon Photodiodes
Los fotodiodos de pin de silicio S1226-18BK
Es adecuado para fotometría precisa en la banda de longitud de onda ultravioleta a visible; suprime la sensibilidad al infrarrojo cercano
Características
- Alta sensibilidad a los rayos UV: QE = 75% (λ = 200 nm)
- Suprimción de la sensibilidad NIR
- Baja c... Ver más
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Los fotodiodos de pin de silicio S1226-44BK S1226-44BQ con baja corriente oscura
Precio: Negotiable
MOQ: 1
El tiempo de entrega: 3-5work days
Destacar:S1226-44BK Silicon Pin Photodiodes, S1226-44BQ Silicon Pin Photodiodes, Low Dark Current Silicon Pin Photodiodes
Los fotodiodos de silicio S1226-44BK
Es adecuado para fotometría precisa en la banda de longitud de onda ultravioleta a visible; suprime la sensibilidad al infrarrojo cercano
Características
- Alta sensibilidad a los rayos UV: QE = 75% (λ = 200 nm)
- Suprimción de la sensibilidad NIR
- Baja corrient... Ver más
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Soluciones para el tratamiento de la radiación infrarroja.
Precio: Negotiable
MOQ: 1
El tiempo de entrega: 3-5work days
Destacar:S1226-5BQ Silicon Pin Photodiodes, S1226-5BK Silicon Pin Photodiodes, NIR Sensitivity Silicon Pin Photodiodes
Los fotodiodos de silicio S1226-5BK
Es adecuado para fotometría precisa en la banda de longitud de onda ultravioleta a visible; suprime la sensibilidad al infrarrojo cercano
Características
- Alta sensibilidad a los rayos UV: QE = 75% (λ = 200 nm)
- Suprimción de la sensibilidad NIR
- Baja corriente... Ver más
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Fotodiodos de pin de silicio S1226-8BK S1226-8BQ Alta confiabilidad
Precio: Negotiable
MOQ: 1
El tiempo de entrega: 3-5work days
Destacar:S1226-8BQ Silicon Pin photodiodes, S1226-8BK Silicon Pin photodiodes, High reliability Silicon Pin photodiodes
Los fotodiodos de silicio S1226-8BK
Es adecuado para fotometría precisa en la banda de longitud de onda ultravioleta a visible; suprime la sensibilidad al infrarrojo cercano
Características
- Alta sensibilidad a los rayos UV: QE = 75% (λ = 200 nm)
- Suprimción de la sensibilidad NIR
- Baja corriente... Ver más
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Fotodiodo de silicio PIN S5821-01 Respuesta de alta velocidad Corriente oscura baja
Precio: Negotiable
MOQ: 1
El tiempo de entrega: 3-5work days
Destacar:Low Dark Current Silicon PIN Photodiode, High Speed Response Silicon PIN Photodiode, S5821-01 Silicon PIN Photodiode
Se aplicará el método siguiente:
Fotodiodos PIN de silicio de alto rendimiento y alta fiabilidad
El S5821-01 es un fotodiodo PIN de silicio de alta velocidad con alta sensibilidad en un amplio rango espectral desde el visible hasta el infrarrojo cercano.El S5821-01 ofrece alto rendimiento y fiabilid... Ver más
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Los fotodiodos de silicio S1337-66BQ S1337-33BQ Baja capacidad
Precio: Negotiable
MOQ: 1
El tiempo de entrega: 3-5work days
Destacar:Low Capacitance Silicon Photodiodes, S1337-66BQ Silicon Photodiodes, S1337-33BQ Silicon Photodiodes
Los demás componentes de los aparatos de la categoría M1Es adecuado para la fotometría precisa en la banda ultravioleta a infrarroja Características- Alta sensibilidad a los rayos UV: QE 75% (λ=200 nm)- Baja capacidad Duración de onda de sensibilidad máxima (típica)960 nmCorriente oscura (máximo)100... Ver más
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Fotodiodos de silicio S1337-33BR S1337-66BR Baja capacidad
Precio: Negotiable
MOQ: 1
El tiempo de entrega: 3-5work days
Destacar:Low Capacitance Silicon Photodiodes, S1337-66BR Silicon Photodiodes, S1337-33BR Silicon Photodiodes
Los fotodiodos de silicio S1337-66BR
Es adecuado para la fotometría precisa en la banda ultravioleta a infrarroja
Características
- Baja capacidad
Duración de onda de sensibilidad máxima (típica)
960 nm
Sensibilidad a la luz (típica)
0.62 A/W
Tiempo de elevación (típico)
1 μs
Capacidad de u... Ver más
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Los fotodiodos de silicio S1337-1010BR S1337-1010BQ con baja capacidad
Precio: Negotiable
MOQ: 1
El tiempo de entrega: 3-5work days
Destacar:Low Capacitance Silicon Photodiodes, S1337-1010BR Silicon Photodiodes, S1337-1010BQ Silicon Photodiodes
Los fotodiodos de silicio S1337-1010BQ
Es adecuado para la fotometría precisa en la banda ultravioleta a infrarroja
Características
- Alta sensibilidad a los rayos UV: QE 75% (λ=200 nm)
- Baja capacidad
Duración de onda de sensibilidad máxima (típica)
960 nm
Sensibilidad a la luz (típica)
0.5 A... Ver más
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Los fotodiodos de silicio S1227-33BQ
Precio: Negotiable
MOQ: 1
El tiempo de entrega: 3-5work days
Destacar:Non-cooled Silicon Photodiodes, Suppressed IR Silicon Photodiodes, S1227-33BQ Silicon Photodiodes
Los fotodiodos de silicio S1227-33BQ
Es adecuado para la fotometría precisa en la banda de longitud de onda ultravioleta a visible; suprime la sensibilidad infrarroja
Características
- Alta sensibilidad a los rayos UV (tipo de ventana de cuarzo): QE = 75 % (λ = 200 nm)
- Represión de la sensibilida... Ver más
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Los fotodiodos de silicio S1227-66BQ
Precio: Negotiable
MOQ: 1
El tiempo de entrega: 3-5work days
Destacar:S1227-66BQ Silicon Photodiodes, Suppressed IR Sensitivity Silicon Photodiodes, S1227-66BR Silicon Photodiodes
Los fotodiodos de silicio S1227-66BQ
Es adecuado para la fotometría precisa en la banda de longitud de onda ultravioleta a visible; suprime la sensibilidad infrarroja
Características
- Alta sensibilidad a los rayos UV (tipo de ventana de cuarzo): QE = 75 % (λ = 200 nm)
- Represión de la sensibil... Ver más
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Fotodiodo de silicio PIN S5971 Bajo precio Alta fiabilidad
Precio: Negotiable
MOQ: 1
El tiempo de entrega: 3-5work days
Destacar:S5971 Silicon PIN Photodiode, Low Price Silicon PIN Photodiode, High Reliability Silicon PIN Photodiode
El fotodiodo de silicio PIN S5971
Respuesta de alta velocidad (100 MHz)
El S5971 es un fotodiodo de silicio PIN de alta velocidad diseñado para la detección de luz visible a infrarroja cercana.con un contenido de aluminio superior a 10%, pero no superior a 10%.
Características- Respuesta de ... Ver más
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