Control de toque capacitivo de 3 canales Freescale/NXP Ic con interfaz I2C MPR032EPR2
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Destacar:3 Channel capacitive touch controller ic, MPR032EPR2 capacitive touch controller ic
The MPR032EPR2,from Freescale / NXP,is Capacitive Touch Sensors.what we offer have competitive price in the global market,which are in original and new parts.If you would like to know more about the products or apply a lower price, please contact us through the “online chat” or send a quote to us! Ver más
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NXP USA Inc. LDMOS 1.93GHz - 1.99GHz Transistores montados en el chasis con ganancia de 13dB
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RF Mosfet 26 V 850 mA 1.93GHz ~ 1.99GHz 13dB 18W NI-780H-2L Ver más
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Frecuencia 150 MHz NPN Transistor bipolar 80 mA Corriente máxima 50V Descomposición del colector 100mW Panasonic SSSMini3-F1
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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 80 mA 150 MHz 100 mW Surface Mount SSSMini3-F1 Ver más
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Transistores NPN pre-biasados discretos 100mA 50V Montaje de superficie 200mW de potencia Panasonic MINI3-G3-B - descontinuado
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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 mW Surface Mount MINI3-G3-B Ver más
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FETs RF de potencia LDMOS de 1000W para transistores duales de montaje de chasis de 110V 1.03GHz NXP USA Inc.
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RF Mosfet 50 V 150 mA 1.03GHz 20dB 1000W NI-1230 Ver más
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Superficie montada JFET Semiconductor 25V 15mA N Componentes discretos de canal por NXP USA Inc.
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RF Mosfet SOT-23 (TO-236AB) Ver más
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NXP USA Inc. Transistor PDTA144VM activo a granel para aplicaciones de voltaje
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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) Ver más
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150MHz NPN Transistor pre-biasado 50V Montaje de superficie de ruptura Panasonic SMini3-F2 150mW de potencia
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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 MHz 150 mW Surface Mount SMini3-F2 Ver más
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Montura de chasis obsoleta LDMOS RF FETs 65V 23W 2.16-2.17GHz 13.5dB de ganancia - NXP USA Inc.
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RF Mosfet 28 V 1.05 A 2.16GHz ~ 2.17GHz 13.5dB 23W NI-780H-2L Ver más
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Transistores bipolares discretos PDTA14
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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) Ver más
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Obsoleto NXP USA Inc. 120V Dual LDMOS RF FETs 225MHz 125W 25dB Transistor montado en el chasis de ganancia
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RF Mosfet 50 V 2.6 A 225MHz 25dB 125W NI-1230-4H Ver más
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Obsoleto NXP USA Inc. Transistores LDMOS 2.69GHz 15.6dB Ganancia de salida 28W Montado en el chasis
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RF Mosfet 28 V 900 mA 2.69GHz 15.6dB 28W NI-780H-2L Ver más
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Componentes electrónicos obsoletos de Panasonic UNR511 PNP Transistor prebiasado para frecuencia de transición de 80MHz
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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 80 MHz 150 mW Surface Mount SMini3-F2 Ver más
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Transistores obsoletos para aplicaciones de RF de 100 MHz
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RF Mosfet 15 V 100MHz TO-92-3 Ver más
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Obsoleto NXP USA Inc. PNP Transistor bipolar pre-biasado de 50V Voltado de ruptura 250mW Potencia SMT3 Montaje de superficie
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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 mW Surface Mount SMT3; MPAK Ver más
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Obsoleto NXP USA Inc. PNP Transistor prebiasado SC-75 150mV 500μA 10mA 50V 150mW Montaje de superficie discreto
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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount SC-75 Ver más
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Montaje de superficie LDMOS RF FETs 65V 24W Salida de energía 1.88GHz Configuración dual de frecuencia NXP NI-780S-4L
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RF Mosfet 28 V 500 mA 1.88GHz ~ 1.91GHz 16dB 24W NI-780S-4L Ver más
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Transistores montados en el chasis de 1.99GHz de 22W LDMOS RF FET - NXP USA Inc.
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RF Mosfet 28 V 900 mA 1.99GHz 16.1dB 22W NI-780H-2L Ver más
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NXP USA Inc. 1.99GHz 65V LDMOS Chasis montado con RF FETs 24W Transistor
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RF Mosfet 28 V 750 mA 1.99GHz 18dB 24W NI-780S Ver más
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Transistores de semiconductores de montaje de chasis NXP USA Inc.
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RF Mosfet 28 V 1.6 A 960MHz 19.4dB 65W NI-780H-2L Ver más
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