Semiconductor de alta potencia

Excelencia de la carga de la puerta N canal de super unión MOSFET 4A650V LCS65R900 Semiconductor de alta potencia

MOSFET de potencia con resistencia a altas temperaturas, baja fuga y baja capacidad de unión

Baja filtración Baja capacidad de unión Alta temperatura Resistencia Voltagem Canal N Semiconductor de potencia

Tensión de baja capacidad de unión IGBT para temperatura con baja fuga

Baja capacidad de unión potencia N canal semiconductor

Resistencia a altas temperaturas Baja fuga N Tipo MOSFET de baja capacidad de unión para eficiencia energética avanzada

Aplicación múltiple Semiconductor de alta potencia Canal N

11A 650V 340mΩ TO-252 MOSFET de alta potencia para el cargador de conmutación

TO-220F Transistores de efecto de campo de óxido metálico semiconductor 15A 600V 274mΩ

Semiconductor de alta tensión tipo N de alta potencia con baja fuga

Semiconductor de alta potencia de conmutación baja 15A 650V 238mΩ para convertidores CC-DC

19A 600V 160mΩ Semiconductor de alta potencia para fuentes de alimentación industriales

20A 650V 150mΩ MOS frío para fuentes de alimentación de modo conmutado

TO-252 Montaje de superficie Semiconductor de alta potencia 5A 500V 1.33Ω Para secador de pelo

MOSFET de alta potencia con baja fuga de N canales TO-220F TO-263C TO-247AC

IGBT de baja fuga de N canales de alta potencia para aplicaciones industriales

Semiconductores de alta potencia de canal N con baja fugas y baja capacidad de unión

Semiconductor Mos de alta tensión de baja fuga para carga de pila

Alta potencia baja fuga N canal IGBT resistente a altas temperaturas

TO-247 N Canal Semiconductor de alta potencia para pila de carga