China igbt power transistor
proveedoresTransistor de potencia IGBT de 650V-1200V para controles electrónicos de alta potencia
Precio: Confirm price based on part number
MOQ: Confirm quantity based on part number
El tiempo de entrega: comfirm
Marca: Lingxun
Circule el transistor de poder de la parada de campo de control IGBT FGH60N60SMD 600V 60A
Precio: negotiable
MOQ: 30 pieces
El tiempo de entrega: 1-2 working days
Marca: Fairchild/ON
Integrated Circuit Chip DG120X07T2 Single Phase H-Bridge IGBT Power Transistors
Precio: Contact for Sample
MOQ: 10
El tiempo de entrega: 3-5 work days
Marca: Original Factory
Sistema de fusión por inducción eléctrica de alta seguridad
Precio: to be negotiated
MOQ: 1
El tiempo de entrega: 30~45 days
Marca: first class
El módulo de poder de 30GG2Z11 IGBT/TOSHIBA aisló el transistor bipolar de la puerta
Precio: negotiable
MOQ: 1 Pcs
El tiempo de entrega: 2-3 working days
Marca: TOSHIBA
Conductor IC 14-DIP de la puerta del puente del transistor de poder del Mosfet del chip CI de los conductores de IR2110PBF IGBT medio
Precio: Negotiate
MOQ: 10pcs
El tiempo de entrega: 1-3Days
Marca: IR
Transistor de potencia multifunción y IGBT de alto voltaje 1200V 40A
Precio: Confirm price based on product
MOQ: Negotiable
El tiempo de entrega: 2-30 days (Depends on Total Quantity)
Marca: REASUNOS
Transistor de banda ancha ancho de los FETs 28V LDMOS RF del transistor de poder de la banda 700-3600MHz 20W RF LDMOS, transistores del RF del poder más elevado
Precio: Negotiable
MOQ: 1pcs
El tiempo de entrega: 5-8 working days
Marca: VBE
Transistor de poder fresco del transistor MOS™ del Mosfet del poder del transistor de poder del darlington del npn SPA04N60C3
Precio: Negotiate
MOQ: 10pcs
El tiempo de entrega: 1 day
Marca: Anterwell
Control de frecuencia BSM35GP120 BSM35GP Módulo de energía IGBT de 7 paquetes Módulo IGBT trans
Precio: $10.00 - $20.10/pieces
MOQ: Negotiable
El tiempo de entrega: Negotiable
Marca: Original brand
Voltaje 30v del emisor del colector del transistor de poder de los transistores de poder de la extremidad de RoHS NPN
Precio: Negotiated
MOQ: 1000-2000 PCS
El tiempo de entrega: 1 - 2 Weeks
Marca: OTOMO
El módulo de poder de Infineon IGBT FF50R12RT4 34m m 1200V se dobla IGBT con el foso rápido/Fieldstop
Precio: Negotiable
MOQ: 1 set
El tiempo de entrega: 25 days after signing the contract
Marca: Infineon
Módulo de poder de los componentes electrónicos IGBT IGBT 1200V 300A FF300R12KT4
Precio: Negotiation
MOQ: 10PCS
El tiempo de entrega: 3-5days
Marca: Infineon Technologies
Transistor de poder original del Mosfet/transistor plástico del canal de P
Precio: Negotiated
MOQ: Negotiable
El tiempo de entrega: 1 - 2 Weeks
Marca: JC
transistor de efecto de campo del transistor de poder del CE de 800V CoolMOSTM IPA80R1K4CE
Precio: Negotiable
MOQ: 100 / Negotiable
El tiempo de entrega: 7~10 Working days
Marca: Julun
Inversor de la serie L IGBT de PM150RLB060 Intellimod™ + módulo de poder trifásicos de MITSUBISHI IGBT de voltios Amperes/600 del freno 150
Precio: Pls Contact sales team
MOQ: 1 Pcs
El tiempo de entrega: 1 day
Marca: MITSUBISHI
STGIPS20K60 Módulo de controlador de alimentación Módulo DIP de alimentación IGBT Semiconductor discreto
Precio: Negotiated
MOQ: 1pieces
El tiempo de entrega: 5-8Working
Marca: STMicroelectronics
Smooth Surface Ceramics Substrate For HBLED, Opto-Communication, IGBT, Power Devices, TEC
Precio: 1usd
MOQ: 10p
El tiempo de entrega: 30days
Marca: wuxi special ceramic
5SHX36L4521 5SXE10-0181 AC10272001R0101 ABB IGBT Power module
Precio: inquiry
MOQ: 1
El tiempo de entrega: today
Marca: ABB
Tablero bajo de aluminio redondo blanco del poder más elevado LED PCBs para los transistores de alta potencia 8kv
Precio: Negotiable
MOQ: Negotiable
El tiempo de entrega: Negotiable
Marca: WonDa