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p channel igbt
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China p channel igbt

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China TOSHIBA aisló el poder más elevado bipolar del canal N IGBT del silicio del canal N IGBT del silicio del transistor de la puerta que cambiaba 30J127 en venta

TOSHIBA aisló el poder más elevado bipolar del canal N IGBT del silicio del canal N IGBT del silicio del transistor de la puerta que cambiaba 30J127

transistor del smd del npn transistor multi del emisor transistores de poder del silicio

Precio: Negotiation

MOQ: 20pcs

El tiempo de entrega: 1 Day

Marca: TOSHIBA

Anterwell Technology Ltd.
CERTIFICATE OF INCORPORATION,BUSINESS REGISTRATION RAGULATIONS Año Establecido:2004 Distribuidor/Wholesaler
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China Conductor SCALETM-2 IGBT del canal IGBT del DUA y transistor de la base IGBT del conductor del MOSFET en venta

Conductor SCALETM-2 IGBT del canal IGBT del DUA y transistor de la base IGBT del conductor del MOSFET

circuito del conductor del módulo del igbt Módulos de la gestión del poder circuito del conductor de la puerta del igbt

Precio: Negotiation

MOQ: 24PCS

El tiempo de entrega: 1WEEK

Marca: Power Integrations

Shenzhen Hongxinwei Technology Co., Ltd
Año Establecido:1998 Manufacturer
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China Transistor IGBT bipolar, TO-220 transistor de IRG4IBC30S 1.7V del canal N IGBT en venta

Transistor IGBT bipolar, TO-220 transistor de IRG4IBC30S 1.7V del canal N IGBT

Módulo del transistor de IGBT que cambia Transistor bipolar aislado multiusos de la puerta Módulo del transistor del silicio IGBT

Precio: Negotiable

MOQ: 1

El tiempo de entrega: Negotiable

Marca: Infineon

Yougou Electronics (Shenzhen) Co., Ltd.
ISO14001,ISO13485 Año Establecido:2008 Manufacturer
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China Automotive IGBT Modules FS150R12KT4B11 1.2KV 150A N-Channel IGBT Silicon Modules en venta

Automotive IGBT Modules FS150R12KT4B11 1.2KV 150A N-Channel IGBT Silicon Modules

Módulos automotrices 400A de IGBT Módulo de poder de FS380R12A6T4BBPSA1 Igbt Módulo 1200V del polvo de IGBT

Precio: Contact for Sample

MOQ: 10

El tiempo de entrega: 3-5 work days

Marca: Original Factory

ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
Distribuidor/mayorista
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China Alta potencia baja fuga N canal IGBT resistente a altas temperaturas en venta

Alta potencia baja fuga N canal IGBT resistente a altas temperaturas

Semiconductor de alto voltaje MOSFET del poder más elevado IGBT de alta potencia

Precio: Confirm price based on part number

MOQ: Confirm quantity based on part number

El tiempo de entrega: comfirm

Marca: Lingxun

Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd
Año Establecido:2012 Fabricante Vendedor
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China Chip CI STGP7NC60HD GP7NC60HD TO220 del circuito integrado del canal N IGBT con el diodo ultrarrápido en venta

Chip CI STGP7NC60HD GP7NC60HD TO220 del circuito integrado del canal N IGBT con el diodo ultrarrápido

analog to digital converter n channel mosfet integrated circuit chip

Precio: negotiate

MOQ: Smallest packaging/contact us

El tiempo de entrega: 2-3 working days

Marca: STMicroelectronics

Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.
ISO9001,ISO14001 Año Establecido:1995 Distribuidor/mayorista
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China El módulo de conductor de Igbt de 4 canales en venta

El módulo de conductor de Igbt de 4 canales

circuitos integrados ics TPS23756PWPR TPS23841PAPG4 y sus componentes

Precio: Negotiable

MOQ: Negotiable

El tiempo de entrega: Negotiable

Shenzhen Century Tongxin Electronics Co., Ltd
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China Modulo IGBT de 1500 V 3A IGBT discreto N de canal Sic IGBT DS-SPS03NM15E3-S03050001 V1.0 en venta

Modulo IGBT de 1500 V 3A IGBT discreto N de canal Sic IGBT DS-SPS03NM15E3-S03050001 V1.0

Módulo del transistor de IGBT Infineon Discreto IGBT Módulo IGBT Sic

Precio: Negotiable

MOQ: Negotiable

El tiempo de entrega: Negotiable

Jiangsu Solid Power Semiconductor Co.,Ltd
CERTIFICATE OF QUALITY MANAGEMENT SYSTEM CERTIFI CATION Año Establecido:2021 Fabricante Exportador Vendedor
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China Canal N 600 V 10 de la serie de los ICs STGP10NB60S de los circuitos integrados de STGP10NB60S un PowerMESH IGBT - TO-220 en venta

Canal N 600 V 10 de la serie de los ICs STGP10NB60S de los circuitos integrados de STGP10NB60S un PowerMESH IGBT - TO-220

Entrada-salida de los ICs FPGA 300 de los circuitos integrados Unidad FPGA ARTIX7 del circuito integrado Circuito integrado IC de XC7A50T-1CSG324I

Precio: Negotiable

MOQ: Negotiable

El tiempo de entrega: 1-2 work days

HENKOSINO TECHNOLOGY CO.,LTD
Año Establecido:2013 Distribuidor/Wholesaler
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China máquina del recocido de inducción de 35Kw IGBT, registrador de la temperatura de 6 canales en venta

máquina del recocido de inducción de 35Kw IGBT, registrador de la temperatura de 6 canales

calefacción de inducción de baja fricción Equipos de calefacción de inducción calefacción de inducción industrial

Precio: 35000US $ FOB

MOQ: 1 piece

El tiempo de entrega: A week after confirmed payment

Marca: canroon

Shenzhen Canroon Electrical Appliances Co., Ltd.
CE,CE Año Establecido:2010 Fabricante
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China Canal N ultrarrápido del transistor de IGBT, transistor bipolar aislado de la puerta con construido en diodo en venta

Canal N ultrarrápido del transistor de IGBT, transistor bipolar aislado de la puerta con construido en diodo

transistor bipolar aislado de la puerta diodo de transferencia de alta velocidad fototransistor del silicio del npn

Precio: Negotiate

MOQ: 10pcs

El tiempo de entrega: 1-3Days

Marca: ON/Fairchild

Shenzhen ATFU Electronics Technology ltd
Certificate of ATFU Brand,Business License Año Establecido:2012 Distribuidor/Wholesaler
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China Tipo MG25Q6ES51 del canal N del módulo de poder de Toshiba Igbt de los controles de motor en venta

Tipo MG25Q6ES51 del canal N del módulo de poder de Toshiba Igbt de los controles de motor

módulo de alimentación inteligente igbt de alta frecuencia módulos del igbt de Fuji

Precio: Negotiable

MOQ: 1pcs

El tiempo de entrega: 0-2 days

Marca: Toshiba

Guangzhou Sande Electric Co.,Ltd.
Año Establecido:2014 Distribuidor/Wholesaler
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China Semiconductores discretos del canal N de GT50N322A 50N322 IGBT Soporte de orificio pasante en venta

Semiconductores discretos del canal N de GT50N322A 50N322 IGBT Soporte de orificio pasante

MOSFET del poder de Infineon HEXFET Canal N 55V 30A del MOSFET MOSFET del poder de 55V 30A HEXFET

Precio: Negotiated

MOQ: 10

El tiempo de entrega: 2-15days

Marca: Toshiba America Electronic Components

Angel Technology Electronics Co
Año Establecido:2006 Fabricante
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