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China sic epitaxial wafer
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SiC Wafer Epitaxial Carburo de silicio 4H 4 pulgadas 6 pulgadas Industria de semiconductores de alta resistencia
Precio: Negotiable
El tiempo de entrega: 2-4 weeks
Marca: ZMSH
Año Establecido:2013
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Sustrato epitaxial de la oblea de SiC de la oblea de 4H SiC para los dispositivos fotónicos ISO9001
Precio: Negotiable
MOQ: Negotiable
El tiempo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
SGS
Año Establecido:2020
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CVD SiC Epitaxy Wafer de 2 pulgadas 3 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas de espesor epitaxy 2,5-120 um para energía electrónica
Precio: Negotiable
MOQ: Negotiable
El tiempo de entrega: 2-4 weeks
Marca: zmsh
Año Establecido:2013
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1500C CVD SIC Epitaxy Growth Furnace for Silicon Carbide Growth in 1000*1000*1500mm Effective Space
Precio: Negotiable
MOQ: 1 set
El tiempo de entrega: 5-6 months
Marca: Ruideer
ISO45001: 2018,Intellectual property
Año Establecido:2011
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4h-N Wafer de carburo de silicio Semi Wafer de sustrato Sic para dispositivo MOS
Precio: Depends on size and quantity
MOQ: 100
El tiempo de entrega: 8~10 working days
Marca: ANG
BV,RoHS (SMART CARD)
Año Establecido:2010
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Cerámica de carburo de silicio de alta pureza Barco de obleas verticales SiC para uso en semiconductores
Precio: 1usd
MOQ: 10p
El tiempo de entrega: 30days
Año Establecido:2008
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La fabricación de placas cerámicas de carburo de silicio para su uso
Precio: $10.00 - $30.00/pieces
MOQ: 10 pieces
El tiempo de entrega: Negotiable
Marca: hongtai
QUALITY MANAGEMENT SYSTEMCERTIFICATE,QMS
Año Establecido:2012
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