Procesamiento térmico rápido para aumentar la producción Sistema de recocido RTP-SA-8
Precio: Negotiable
MOQ: Negotiable
El tiempo de entrega: 3 month
Marca: Ganova
Destacar:Boost Production Rapid Thermal Processing, Rapid Thermal Processing Annealing System
1.Basic configuration of equipment system 1.1outline The Rapid Thermal Processing is a vertical semi-automatic 8-inch wafer rapid annealing furnace, which uses two layers of infrared halogen lamps as heat sources for heating. The internal quartz cavity is insulated and insulated, and the outer shell... Ver más
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sistema de recocido termal rápido de 150m m con tres gases de proceso de los sistemas
Precio: Negotiable
MOQ: 1
El tiempo de entrega: 8-10week days
Marca: GaNova
Destacar:150mm Rapid Thermal Annealing System, desktop rapid thermal processing equipment, Wafer Rapid Thermal Annealing System
RTP-150RL Rapid Thermal Annealing System with Three Sets Process Gases RTP-150RL: Is in the protection atmosphere of the desktop manual rapid annealing system, with infrared visible light heating single piece Wafer or sample, short process time, high temperature control precision, suitable for 2-6 i... Ver más
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Grado electrónico solo Crystal Diamond, N Content<100ppb, conductividad termal de JDCD05-001-003 10*10mm2*0.3m m de XRD<0.015º
Precio: Negotiable
MOQ: Negotiable
El tiempo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Destacar:Electronic Grade Single Crystal Diamond, 10*10mm2*0.3mm Single Crystal Diamond
diamante cristalino del gradiente electrónico de 10*10mm2*0.3m m solo, contenido de N<100ppb>
DescripciónLas obleas monocristal del diamante permiten avances críticos en ambos tecnología del poder del RF usada para las comunicaciones 5G y los satélites; así como en la electrónica de poder... Ver más
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Grado electrónico solo Crystal Diamond, N Content<100ppb, conductividad termal de JDCD05-001-006 10*10mm2*0.5m m de XRD<0.015º
Precio: Negotiable
MOQ: Negotiable
El tiempo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Destacar:10*10mm2*0.5mm Single Crystal Diamond
Diamante cristalino del grado electrónico de JDCD05-001-006 10*10mm2*0.5m m solo, contenido de N<100ppb>
Descripción
El diamante del CVD se ha reconocido de largo como el último material en una amplia variedad de usos debido a sus calidades extremas.
Para el CVD del diamante el hidr... Ver más
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GaN dopado con magnesio tipo P de 4 pulgadas en oblea de zafiro Resistividad SSP ~ 10 Ω Cm Láser LED PIN Oblea epitaxial
Precio: Negotiable
MOQ: Negotiable
El tiempo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Destacar:LED Laser PIN Epitaxial Wafer
GaN dopado con Mg tipo P de 4 pulgadas en oblea de zafiro Resistividad SSP ~ 10 Ω cm LED, láser, oblea epitaxial PIN
Las propiedades eléctricas del GaN dopado con Mg de tipo p se investigan a través de mediciones de efecto Hall de temperatura variable.Se prepararon muestras con un rango de conce... Ver más
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JDCD05-001-005 Diamante monocristalino de grado electrónico de 5*5 mm2*0,5 mm, contenido de N
Precio: Negotiable
MOQ: Negotiable
El tiempo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Destacar:XRD<0.015º Single Crystal Diamond
JDCD05-001-005 Diamante monocristalino de grado electrónico de 5*5 mm2*0,5 mm, contenido de N <100 ppb, XRD <0,015º Conductividad térmica 1000-2200 para disipador de calor
Descripción general
La alta conductividad térmica del diamante lo ha hecho útil en aplicaciones de gestión térmica.Su... Ver más
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El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm
Precio: Negotiable
MOQ: Negotiable
El tiempo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Destacar:ISO GaN Substrates, gan semiconductor wafer, Fe Doped GaN Substrates
2inch C-face Fe-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices The achieved breakdown voltage of the Fe-doped GaN epitaxial layer can be as high as 2457 V, which is attributed to the Fe-doped GaN epitaxial layer with higher resistance, which can sustain... Ver más
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625um 675um 4 al zafiro plano azul de la pulgada LED GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP
Precio: Negotiable
MOQ: Negotiable
El tiempo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Destacar:625um GaN Epitaxial Wafer, SSP gan on sapphire wafers, 675um GaN Epitaxial Wafer
Substrate Thickness 650 ± 25 μm 4 Inch Blue LED GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP Flat Sapphire 4 inch Blue LED GaN epitaxial wafer on sapphire SSP For example, GaN is the substrate which makes violet (405 nm) laser diodes possible, without use of nonlinear optical frequency-doubling. Its sensitiv... Ver más
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4 pulgadas 4H-SiC Substrato de nivel P SI 500.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Resistividad≥1E5Ω·cm Para microondas de potencia
Precio: Negotiable
MOQ: Negotiable
El tiempo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Destacar:Substrato de 4H-SiC de nivel P, Substrato de 4H-SiC para microondas, Substrato de 4 pulgadas de 4H-SiC
Nivel P SI los 500.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Resistivity≥1E5Ω del substrato de JDCD03-002-002 4inch 4H-SiC·cm para los dispositivos del poder y de la microonda
Descripción
Sic se utiliza para la fabricación de dispositivos muy de alto voltaje y de alta potencia tales como diodos, transistores de... Ver más
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C-avión Sapphire Substrate Wafer de JDCD08-001-006 6inch
Precio: Negotiable
MOQ: Negotiable
El tiempo de entrega: Negotiable
Destacar:6inch Sapphire Substrate Wafer
C-avión Sapphire Substrate Wafer de JDCD08-001-006 6inch
Los zafiros están en segundo lugar solamente a los diamantes en durabilidadEl diamante es el elemento natural más durable en la tierra y las filas como 10 de 10 en la escala de Mohs de la dureza mineral. Los zafiros son también muy durabl... Ver más
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JDCD05-001-007 Sustratos de diamante CVD
Precio: Negotiable
MOQ: Negotiable
El tiempo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Destacar:CVD Diamond Substrates, CVD Diamond Substrates 007
JDCD05-001-007 CVD Diamond Substrates
Descripción
El diamante es un material único que exhibe a menudo las propiedades extremas comparadas a otros materiales. Descubierto hace aproximadamente 30 años, el uso del hidrógeno en la deposición de vapor químico plasma-aumentada (CVD) ha permitido el... Ver más
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2 pulgadas de LED verde GaN en la oblea de silicio Dimensión 520 ± 10nm
Precio: Negotiable
MOQ: Negotiable
El tiempo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Destacar:2 pulgadas GaN en la oblea de silicio, LED verde GaN en la oblea de silicio, 520nm GaN en la oblea de silicio
GaN LED verde de 2 pulgadas en oblea de silicio
Descripción general
El nitruro de galio (GaN) está creando un cambio innovador en todo el mundo de la electrónica de potencia.Durante décadas, los MOSFET (transistores de efecto de campo de semiconductores de óxido de metal) basados en silicio h... Ver más
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JDCD06-001-004 Wafer de silicio de 5 pulgadas Dispositivos MEMS Circuitos integrados Substratos dedicados para dispositivos discretos
Precio: Negotiable
MOQ: 1
El tiempo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Destacar:Circuitos integrados Wafer de silicio, Discreto de los Dispositivos de Wafer de silicio, Wafer de silicio de 5 pulgadas
Dispositivos MEMS de oblea de silicio de 5 pulgadas, circuitos integrados, sustratos dedicados para dispositivos discretos
Descripción general
Aunque los cristales de silicio pueden parecer metálicos, no son del todo metales.Debido a los "electrones libres" que se mueven fácilmente entre los á... Ver más
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JDCD06-001-005 Wafer de silicio de 6 pulgadas Dispositivos MEMS Circuitos integrados Substratos dedicados para dispositivos discretos
Precio: Negotiable
MOQ: 1
El tiempo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Destacar:Circuitos integrados Wafer de silicio, Discreto de los Dispositivos de Wafer de silicio, oblea de silicio
dispositivos de la oblea de silicio 6-inch MEMS, circuitos integrados, substratos dedicados para los dispositivos discretos
Descripción
El silicio típicamente se encuentra compuesto con otros elementos. Los elementos del silicio pueden atar los átomos firmemente y en arreglos complejos. La a... Ver más
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JDCD06-001-006 Wafer de silicio de 8 pulgadas Dispositivos MEMS Circuitos integrados Substratos dedicados para dispositivos discretos
Precio: Negotiable
MOQ: 1
El tiempo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Destacar:Circuitos integrados Wafer de silicio, Dispositivos MEMS Wafer de silicio, Discreto de los Dispositivos de Wafer de silicio
Dispositivos MEMS de oblea de silicio de 8 pulgadas, circuitos integrados, sustratos dedicados para dispositivos discretos
Descripción general
En electrónica, las obleas de silicio (también conocidas como sustratos) son láminas delgadas de silicio cristalino (c-Si) de alta pureza que se utiliz... Ver más
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JDCD06-001-007 Wafer de silicio de 12 pulgadas Dispositivos MEMS Circuitos integrados Substratos dedicados para dispositivos discretos
Precio: Negotiable
MOQ: 1
El tiempo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Destacar:Circuitos integrados Wafer de silicio, Discreto de los Dispositivos de Wafer de silicio, Wafer de silicio de 12 pulgadas
dispositivos de la oblea de silicio 12-inch MEMS, circuitos integrados, substratos dedicados para los dispositivos discretos
DescripciónUna oblea de silicio es un material esencial para los semiconductores de fabricación, que se encuentran en toda clase de dispositivos electrónicos que enriqu... Ver más
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JDCD04-001-007 10x10mm2(010) Sustrato de cristal único Ga2O3 independiente dopado con Sn Pulido único de grado de producto
Precio: Negotiable
MOQ: Negotiable
El tiempo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Destacar:Substrato monocristalino de Ga2O3 en pie libre, Categoría de producto Substrato de cristal único Ga2O3, 10x10mm2 Ga2O3 Substrato de cristal único
10x10 mm2(010) Sustrato monocristalino de Ga2O3 independiente dopado con Sn Pulido simple de grado de producto filtros UV
Mientras que los dispositivos basados en silicio han sido capaces de producir dispositivos relativamente eficientes, las características mejoradas del nitruro de galio dan ... Ver más
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JDCD07-001-001 oblea epitaxial SOI de 4 pulgadas para procesamiento MEMS
Precio: Negotiable
MOQ: 1
El tiempo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Destacar:Procesamiento MEMS de oblea epitaxial de SOI, Wafer epitaxial SOI de 4 pulgadas, Wafer epitaxial de SOI
Oblea epitaxial SOI de 4 pulgadas para procesamiento MEMS
Descripción general
Aunque los cristales de silicio pueden parecer metálicos, no son del todo metales.Debido a los "electrones libres" que se mueven fácilmente entre los átomos, los metales son buenos conductores de electricidad y la el... Ver más
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JDCD07-001-004 Wafer epitaxial SOI de 7 pulgadas para el procesamiento de MEMS
Precio: Negotiable
MOQ: 1
El tiempo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Destacar:Wafer epitaxial de 7 pulgadas, Procesamiento MEMS de oblea epitaxial de SOI, Wafer epitaxial de SOI
Oblea epitaxial SOI de 7 pulgadas para procesamiento MEMS
Descripción generalUna oblea de silicio es un material esencial para la fabricación de semiconductores, que se encuentran en todo tipo de dispositivos electrónicos que enriquecen nuestras vidas.Pocos de nosotros tenemos la oportunidad de... Ver más
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JDCD07-001-002 Wafer epitaxial SOI de 5 pulgadas para el procesamiento de MEMS
Precio: Negotiable
MOQ: 1
El tiempo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Destacar:Wafer epitaxial de 5 pulgadas de SOI, Wafer epitaxial de SOI, Procesamiento MEMS de oblea epitaxial de SOI
oblea epitaxial de 5-inch SOI para el proceso de MEMS
Descripción
Las obleas de silicio (oblea del Si) son rebanadas finas de silicio cristalizado altamente puro. Las obleas de silicio actúan como substrato para los dispositivos microelectrónicos y son especialmente útiles en la construcción... Ver más
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