El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm
Precio: Negotiable
MOQ: Negotiable
El tiempo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Destacar:ISO GaN Substrates, gan semiconductor wafer, Fe Doped GaN Substrates
2inch C-face Fe-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices The achieved breakdown voltage of the Fe-doped GaN epitaxial layer can be as high as 2457 V, which is attributed to the Fe-doped GaN epitaxial layer with higher resistance, which can sustain... Ver más
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Dispositivo de potencia de 2 pulgadas Transistor de alta movilidad de electrones Wafer epitaxial
Precio: Negotiable
MOQ: 5
El tiempo de entrega: Negotiable
Marca: Ganova
Destacar:sic epitaxial wafer 2 Inch, Power Device sic epitaxial wafer, High Electron Mobility Transistor Epitaxial Wafer
Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its structure mainly includes AlGaN barrier layer, GaN channel layer, AlN buffer layer, and silicon ... Ver más
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Oblea Epi GaAs
(15)
JDCD10-001-001 Sustratos sin dopar GaAs (100) de 2 pulgadas
Precio: Negotiable
MOQ: Negotiable
El tiempo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Destacar:Undoped GaAs (100) Substrates, 2inch GaAs (100) Substrates, 2inch GaAs (100) Undoped Substrates
Sustratos sin dopar GaAs (100) de 2 pulgadas
Descripción general
El arseniuro de galio de una oblea de GaAs tiene el atributo de generar luz láser a partir de la electricidad de manera directa.Hay dos tipos de oblea de GaAs;monocristalino y policristalino.Estas obleas se utilizan en la producci... Ver más
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Grado electrónico solo Crystal Diamond, N Content<100ppb, conductividad termal de JDCD05-001-003 10*10mm2*0.3m m de XRD<0.015º
Precio: Negotiable
MOQ: Negotiable
El tiempo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Destacar:Electronic Grade Single Crystal Diamond, 10*10mm2*0.3mm Single Crystal Diamond
diamante cristalino del gradiente electrónico de 10*10mm2*0.3m m solo, contenido de N<100ppb>
DescripciónLas obleas monocristal del diamante permiten avances críticos en ambos tecnología del poder del RF usada para las comunicaciones 5G y los satélites; así como en la electrónica de poder... Ver más
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Procesamiento térmico rápido para aumentar la producción Sistema de recocido RTP-SA-8
Precio: Negotiable
MOQ: Negotiable
El tiempo de entrega: 3 month
Marca: Ganova
Destacar:Boost Production Rapid Thermal Processing, Rapid Thermal Processing Annealing System
1.Basic configuration of equipment system 1.1outline The Rapid Thermal Processing is a vertical semi-automatic 8-inch wafer rapid annealing furnace, which uses two layers of infrared halogen lamps as heat sources for heating. The internal quartz cavity is insulated and insulated, and the outer shell... Ver más
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Hall Coefficient Hall Effect Sensor Tester Mobility Resistivity Measurement
Precio: Negotiable
MOQ: 1
El tiempo de entrega: 8-10week days
Marca: GaNova
Destacar:Hall Effect Sensor Tester Mobility Resistivity, carrier concentration hall effect instrument, Hall Effect Sensor Tester semiconductor
Hall Coefficient Hall Effect Sensor Tester mobility resistivity measurement Product Overview: Hall effect tester is used to measure the carrier concentration, mobility, resistivity, Hall coefficient and other important parameters, and these parameters of semiconductor materials to understand the ele... Ver más
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AlN 10*10mm2 AlN cristal único 400±50μM grado S/P/R
Precio: Negotiable
MOQ: 1
El tiempo de entrega: Negotiable
Marca: GaNova
Destacar:ALN aluminum nitride wafer, 2H aluminum nitride wafer, 10*10mm2 aln wafer
AlN substrate is one of the most popular ceramic substrate which has excellent heat resistance, high mechnical strength , abrasion resistance and small dielectric loss . The surface of AlN substrate is quite smooth and low porosity . Aluminium Nitride has higher thermal conductivity , compared to al... Ver más
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94um Laser Diode Chip Slope Efficiency 1.0W/A Wavelength 915nm
Precio: Negotiable
MOQ: Negotiable
El tiempo de entrega: Negotiable
Marca: GaNova
Destacar:94um Laser Diode Chip, high power laser diode chip, 1.0W/A Laser Diode Chip
94μm Laser Diode Chip Slope Efficiency 1.0W/A Wavelength 915nm 915nm 10W COS Diode Laser Chip On Submount Design For low power consumption it is essential that the output from the laser diode (LD) is efficiently coupled to the optical waveguide, and there are several approaches reported in the liter... Ver más
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Sic cristal 4" del lingote JDZJ01-001-002 grado de D
Precio: Negotiable
MOQ: Negotiable
El tiempo de entrega: 3-4 week days
Destacar:4” SiC Ingot Crystal, D Grade SiC Ingot Crystal
Sic lingote 4" cristalino grado de P
Sic los dispositivos pueden actuar en los de alta frecuencia (RF y microonda) debido a la alta velocidad de deriva saturada del electrón de sic.
Sic está un conductor termal excelente. El calor fluirá más fácilmente a través sic que otros materiales del se... Ver más
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Oblea Ga2O3
(13)
Sn dopaje Ga2O3 oblea sustrato monocristalino 10x10mm2
Precio: Negotiable
MOQ: Negotiable
El tiempo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Destacar:Sn Doping Ga2O3 Wafer, 0.8mm Gallium Oxide wafer, Ga2O3 Wafer 10x10mm2
10x10mm2 (-201) Fe-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤0.3 nm Optoelectronic devices, insulating layers of semiconductor materials, and UV filters Among these different phases of Ga2O3, the orthorhombic β-gallia stru... Ver más
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oblea de silicio
(26)
JDCD06-001-002 Dispositivos MEMS de oblea de silicio de 3 pulgadas, circuitos integrados, sustratos dedicados para dispositivos discretos
Precio: Negotiable
MOQ: 1
El tiempo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Destacar:Integrated Circuits Silicon Wafer, Discrete Devices Silicon Wafer
Dispositivos MEMS de oblea de silicio de 3 pulgadas, circuitos integrados, sustratos dedicados para dispositivos discretos
Descripción generalLas obleas de silicio actúan como sustrato para dispositivos microelectrónicos y son especialmente útiles en la construcción de circuitos electrónicos de... Ver más
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Sapphire Wafer
(19)
C-avión Sapphire Substrate Wafer de JDCD08-001-006 6inch
Precio: Negotiable
MOQ: Negotiable
El tiempo de entrega: Negotiable
Destacar:6inch Sapphire Substrate Wafer
C-avión Sapphire Substrate Wafer de JDCD08-001-006 6inch
Los zafiros están en segundo lugar solamente a los diamantes en durabilidadEl diamante es el elemento natural más durable en la tierra y las filas como 10 de 10 en la escala de Mohs de la dureza mineral. Los zafiros son también muy durabl... Ver más
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UKAS Patterned Sapphire Substrates Flat Edge Angle
Precio: Negotiable
MOQ: 1
El tiempo de entrega: Negotiable
Marca: GaNova
Destacar:UKAS Patterned Sapphire Substrates, al2o3 substrate 430um, Patterned Sapphire Substrates OEM
50.80±0.10mm Patterned Sapphire Substrates Flat Edge Angle A-Plane±0.2o 2inch Patterned Sapphire Substrates,LED Chip,Substrate Material The efficacy enhancement of GaN-based LEDs with the patterned-sapphire substrate technique is generally attributed to the improvement in both light extraction effic... Ver más
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Titular de oblea de teflón de 6 pulgadas Limpieza de cestas y manijas de flores
Precio: Negotiable
MOQ: 1
El tiempo de entrega: Negotiable
Destacar:6inch Wafer Holder, wafer cassette carrier, 25 PCS Wafer Holder
6inch Wafer Holder Cleaning Flower Baskets And Handles PFA Cassette / Cassette of wafer can be customized and designed by customers’ request, able to resist strong acid, strong hydrofluoric acid, strong base and heat up to 200~220℃, use to deliver wafers in acid & base process of Fabrication f... Ver más
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0.1mm/s To 600mm/s Wafer Dicing Machine X Axis Cutting Range 260mm
Precio: Negotiable
MOQ: 1
El tiempo de entrega: 8-10week days
Marca: GaNova
Destacar:0.1mm/s Wafer Dicing Machine, wafer saw machine 260mm, 600mm/s Wafer Dicing Machine
DAD3350 Wafer Dicing Machine 0.1 ～ 600mm/s X-Axis Cutting Range 260mm Improved throughput The DAD3350 achieves improvement in throughput by increasing the speed of each axis. Ease of use Operability is improved with installation of an LCD touch screen and Graphical User Interface (GUI). Easy operati... Ver más
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