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China igbt transistor

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China Transistor IGBT bipolar, TO-220 transistor de IRG4IBC30S 1.7V del canal N IGBT en venta

Transistor IGBT bipolar, TO-220 transistor de IRG4IBC30S 1.7V del canal N IGBT

Módulo del transistor de IGBT que cambia Transistor bipolar aislado multiusos de la puerta Módulo del transistor del silicio IGBT

Precio: Negotiable

MOQ: 1

El tiempo de entrega: Negotiable

Marca: Infineon

Yougou Electronics (Shenzhen) Co., Ltd.
ISO14001,ISO13485 Año Establecido:2008 Manufacturer
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China Modulos IGBT para automóviles FS50R12W2T7P Modulos IGBT 1200V Modulos de transistores IGBT en venta

Modulos IGBT para automóviles FS50R12W2T7P Modulos IGBT 1200V Modulos de transistores IGBT

Módulos automotrices 400A de IGBT Módulo de poder de FS380R12A6T4BBPSA1 Igbt Módulo 1200V del polvo de IGBT

Precio: Contact for Sample

MOQ: 10

El tiempo de entrega: 3-5 work days

Marca: Original Factory

ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
Distribuidor/mayorista
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China Conductor SCALETM-2 IGBT del canal IGBT del DUA y transistor de la base IGBT del conductor del MOSFET en venta

Conductor SCALETM-2 IGBT del canal IGBT del DUA y transistor de la base IGBT del conductor del MOSFET

circuito del conductor del módulo del igbt Módulos de la gestión del poder circuito del conductor de la puerta del igbt

Precio: Negotiation

MOQ: 24PCS

El tiempo de entrega: 1WEEK

Marca: Power Integrations

Shenzhen Hongxinwei Technology Co., Ltd
Año Establecido:1998 Manufacturer
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China Canal N ultrarrápido del transistor de IGBT, transistor bipolar aislado de la puerta con construido en diodo en venta

Canal N ultrarrápido del transistor de IGBT, transistor bipolar aislado de la puerta con construido en diodo

transistor bipolar aislado de la puerta diodo de transferencia de alta velocidad fototransistor del silicio del npn

Precio: Negotiate

MOQ: 10pcs

El tiempo de entrega: 1-3Days

Marca: ON/Fairchild

Shenzhen ATFU Electronics Technology ltd
Certificate of ATFU Brand,Business License Año Establecido:2012 Distribuidor/Wholesaler
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China El transistor/el poder de TO-247 90A 600V IGBT aisló el transistor bipolar de la puerta en venta

El transistor/el poder de TO-247 90A 600V IGBT aisló el transistor bipolar de la puerta

transistor del mosfet del canal N transistor de alto voltaje del mosfet transistor del mosfet del smd

Precio: negotiable

MOQ: 5PCS

El tiempo de entrega: 1-2 working days

Marca: IR/Thinkchip

G-Resource Electronics Co.,Ltd
iso9001,iso14001 Año Establecido:2009 Fabricante
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China Módulo industrial de los transistores del módulo FS150R12KE3 IGBT del poder más elevado IGBT de Eupec en venta

Módulo industrial de los transistores del módulo FS150R12KE3 IGBT del poder más elevado IGBT de Eupec

módulo de alimentación inteligente igbt de alta frecuencia módulos del igbt de Fuji

Precio: Negotiable

MOQ: 1pcs

El tiempo de entrega: 0-2 days

Marca: Eupec

Guangzhou Sande Electric Co.,Ltd.
Año Establecido:2014 Distribuidor/Wholesaler
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China Transistor del canal N IGBT del silicio del transistor del Mosfet del poder de RJH60F7ADPK en venta

Transistor del canal N IGBT del silicio del transistor del Mosfet del poder de RJH60F7ADPK

transistores de poder del silicio transistor multi del emisor mosfet ic del poder

Precio: Negotiate

MOQ: 20pcs

El tiempo de entrega: 1 day

Marca: Anterwell

Anterwell Technology Ltd.
CERTIFICATE OF INCORPORATION,BUSINESS REGISTRATION RAGULATIONS Año Establecido:2004 Distribuidor/Wholesaler
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China Transistor IGBT Fuego de fusión de cáscara de acero Alta seguridad Tiempo de fusión corto en venta

Transistor IGBT Fuego de fusión de cáscara de acero Alta seguridad Tiempo de fusión corto

Horno de inducción de cobre Horno de frecuencia media Fuego de acero con cáscara

Precio: Negotiable

MOQ: Negotiable

El tiempo de entrega: Negotiable

Marca: Huarui

Shandong Huarui Electric Furnace Co., Ltd.
GB/T19001-2016/ISO9001:2015,Patent Año Establecido:2011 Fabricante
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China Transistor IGBT DIP de 600V 120A 298W 60n60 con transistor IGBT DIP FGH60N60 en venta

Transistor IGBT DIP de 600V 120A 298W 60n60 con transistor IGBT DIP FGH60N60

IS61C3216 AL Micron ISSI Samsung El Ic integró el microprocesador VFBGA-63 COPITA 4GBIT del micrón ISSI Samsung

Precio: $1.10/pieces 1-999 pieces

MOQ: Negotiable

El tiempo de entrega: Negotiable

Marca: ORIGINAL

ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
Authority certificate,ISO Año Establecido:2015 Manufacturer
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China Cargador de alta potencia IGBT Transistor multipropósito para OBC en venta

Cargador de alta potencia IGBT Transistor multipropósito para OBC

IGBT industrial de alta potencia IGBT de alta frecuencia estable Pilas de carga IGBT Ultra Rápido

Precio: Confirm price based on product

MOQ: Negotiable

El tiempo de entrega: 2-30 days (Depends on Total Quantity)

Marca: REASUNOS

Reasunos Semiconductor Technology Co., Ltd.
REACH of Package-1,ISO9001 Año Establecido:2007 Fabricante
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China Inversor de pila de carga Transistor IGBT multipropósito para OBC en venta

Inversor de pila de carga Transistor IGBT multipropósito para OBC

Inversor solar de Igbt Inversor de potencia IGBT Semiconductor de IGBT

Precio: According to your order requirement

MOQ: According to your order requirement

El tiempo de entrega: According to your order requirement

Marca: Lingxun

Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd
Año Establecido:2012 Fabricante Vendedor
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China SIEMENS - MÓDULO FZ1200R16KF4 1200 de 6SY7000-0AC37 IGBT-TRANSISTOR un 1600V en venta

SIEMENS - MÓDULO FZ1200R16KF4 1200 de 6SY7000-0AC37 IGBT-TRANSISTOR un 1600V

módulo de la redundancia del diodo módulo de interfaz análogo módulo de fuente de alimentación del plc

Precio: Negotiable

MOQ: Negotiable

El tiempo de entrega: Negotiable

Marca: SIEMENS

Shenzhen Wisdomlong Technology CO.,LTD
Año Establecido:2010 Importer
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China MÓDULO DE SIEMENS 6SY7000-0AD50 SIMATIC IGBT-TRANSISTOR en venta

MÓDULO DE SIEMENS 6SY7000-0AD50 SIMATIC IGBT-TRANSISTOR

SIEMENS PLC SIMATIC PLC ininterrumpible SIMATIC TARJETA DE ENTRADA ANALÓGICA SIEMENS

Precio: Negotiable

MOQ: 1pc

El tiempo de entrega: 2-3 days

Marca: SIEMENS

Wuhan Sean Automation Equipment Co.,Ltd
Año Establecido:2016 Distribuidor/Mayorista
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China Bajas pérdidas de conmutación Infineon módulo de transistor IGBT discreto OEM en venta

Bajas pérdidas de conmutación Infineon módulo de transistor IGBT discreto OEM

Módulo del transistor de IGBT Infineon Discreto IGBT Módulo IGBT Sic

Precio: Negotiable

MOQ: Negotiable

El tiempo de entrega: Negotiable

Jiangsu Solid Power Semiconductor Co.,Ltd
CERTIFICATE OF QUALITY MANAGEMENT SYSTEM CERTIFI CATION Año Establecido:2021 Fabricante Exportador Vendedor
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China TO247 Package 800V 4A Bidirectional Thyristor for Stable IGBT Transistor Performance en venta

TO247 Package 800V 4A Bidirectional Thyristor for Stable IGBT Transistor Performance

Componentes electrónicos Amplificadores operativos Circuitos integrados Amplificadores operativos Amplificadores operativos de circuito integrado

Precio: $0.11/pieces 1-99 pieces

MOQ: Negotiable

El tiempo de entrega: Negotiable

Marca: other

Shenzhen Yudatong Trading Co., Ltd.
Año Establecido:2017 Distribuidor/Wholesaler
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China Semiconductor de potencia del transistor H30R1602 de IHW30N160R2 IGBT en venta

Semiconductor de potencia del transistor H30R1602 de IHW30N160R2 IGBT

MOSFET del poder de Infineon HEXFET Canal N 55V 30A del MOSFET MOSFET del poder de 55V 30A HEXFET

Precio: Negotiated

MOQ: 10pieces

El tiempo de entrega: 2-15days

Marca: Infineon Technologies/International Rectifier IOR

Angel Technology Electronics Co
Año Establecido:2006 Fabricante
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China Se trata de un transistor de alta tensión, con una capacidad de transmisión superior a 100 W. en venta

Se trata de un transistor de alta tensión, con una capacidad de transmisión superior a 100 W.

Se trata de un sistema de control de las emisiones. fabricantes del módulo del igbt Modulo igbt de 900 MHz

Precio: Email us for details

MOQ: 1pcs

El tiempo de entrega: 1day

Marca: StarPower

Wisdtech Technology Co.,Limited
environmental management system,Occupational health and safety system Vendedor
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China Circule el transistor de poder de la parada de campo de control IGBT FGH60N60SMD 600V 60A en venta

Circule el transistor de poder de la parada de campo de control IGBT FGH60N60SMD 600V 60A

igbt power transistor mosfet power module high power igbt module

Precio: negotiable

MOQ: 30 pieces

El tiempo de entrega: 1-2 working days

Marca: Fairchild/ON

Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.
ISO9001,ISO14001 Año Establecido:1995 Distribuidor/mayorista
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China de alta frecuencia simple del transistor de la operación del aparato de la calefacción de inducción de 160kw IGBT en venta

de alta frecuencia simple del transistor de la operación del aparato de la calefacción de inducción de 160kw IGBT

unidad de calefacción de inducción horno de la calefacción de inducción Equipos de calefacción de inducción

MOQ: 1 set

El tiempo de entrega: 5-7 working days after receiving advanced payments

Marca: Lanshuo

Zhengzhou Lanshuo Electronics Co., Ltd
CE,ISO9001 Año Establecido:2003 Fabricante
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