Oblea Ga2O3
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JDCD04-001-007 10x10mm2(010) Sustrato de cristal único Ga2O3 independiente dopado con Sn Pulido único de grado de producto
Precio: Negotiable
MOQ: Negotiable
El tiempo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Destacar:Substrato monocristalino de Ga2O3 en pie libre, Categoría de producto Substrato de cristal único Ga2O3, 10x10mm2 Ga2O3 Substrato de cristal único
10x10 mm2(010) Sustrato monocristalino de Ga2O3 independiente dopado con Sn Pulido simple de grado de producto filtros UV
Mientras que los dispositivos basados en silicio han sido capaces de producir dispositivos relativamente eficientes, las características mejoradas del nitruro de galio dan ... Ver más
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JDCD04-001-003 10x10mm2 100 ((Off 6°) Fe dopado en pie libre Ga2O3 Substrato de cristal único Calidad de producto Polido único
Precio: Negotiable
MOQ: Negotiable
El tiempo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Destacar:Substrato monocristalino de Ga2O3 en pie libre, 10x10mm2 Ga2O3 Substrato de cristal único, Ga2O3 solo Crystal Substrate
10x10 mm2 100 (off 6°) Sustrato monocristalino de Ga2O3 independiente dopado con Fe Pulido simple de grado de producto Espesor 0,6~0,8 mm FWHM<350arcsec,Ra≤5nm Dispositivos optoelectrónicos, capas aislantes de materiales semiconductores y filtros UV
La densidad de potencia mejora considerable... Ver más
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JDCD04-001-002 10x10mm2 (- 201) Sn-dopó el solo Crystal Substrate Product Grade solo polaco libre de Ga2O3
Precio: Negotiable
MOQ: Negotiable
El tiempo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Destacar:Substrato monocristalino de Ga2O3 en pie libre, Categoría de producto Substrato de cristal único Ga2O3, 10x10mm2 Ga2O3 Substrato de cristal único
10x10mm2 (- 201) Sn-dopó el solo grueso de pulido cristalino libre 0.6~0.8m m FWHM<350arcsec, resistencia del grado del producto del substrato Ga2O3 solo de Ra≤0.3 nanómetro<9e18>
Desde los años 90, se ha utilizado comúnmente en los diodos electroluminosos (LED). El nitruro del galio e... Ver más
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Sn dopaje Ga2O3 oblea sustrato monocristalino 10x10mm2
Precio: Negotiable
MOQ: Negotiable
El tiempo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Destacar:Sn Doping Ga2O3 Wafer, 0.8mm Gallium Oxide wafer, Ga2O3 Wafer 10x10mm2
10x10mm2 (-201) Fe-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM<350arcsec,Ra≤0.3 nm Optoelectronic devices, insulating layers of semiconductor materials, and UV filters Among these different phases of Ga2O3, the orthorhombic β-gallia stru... Ver más
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Sola Ga2O3 oblea pulida lateral solo Crystal Substrate
Precio: Negotiable
MOQ: Negotiable
El tiempo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Destacar:Side Polished Ga2O3 Wafer, 0.6mm gallium nitride substrate, Ga2O3 Wafer UKAS
10x10mm2 (-201) Fe-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM<350arcsec,Ra≤0.3 nm Optoelectronic devices, insulating layers of semiconductor materials, and UV filters Gallium Oxide (Ga2O3) is emerging as a viable candidate for certain c... Ver más
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0.6m m 0.8m m Ga2O3 solo Crystal Substrate Single Polishing
Precio: Negotiable
MOQ: Negotiable
El tiempo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Destacar:Ga2O3 Single Crystal Substrate, Gallium Oxide wafer 0.6mm, 0.8mm Single Crystal Substrate
10x10mm2 (-201) Fe-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM<350arcsec,Ra≤0.3 nm Optoelectronic devices, insulating layers of semiconductor materials, and UV filters Gallium Nitride (GaN) substrate is a high-quality single-crystal subs... Ver más
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Ra 0.3nm Ga2O3 Single Crystal Oblea epitaxial 2 pulgadas 4 pulgadas
Precio: Negotiable
MOQ: Negotiable
El tiempo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Destacar:Ga2O3 epitaxial wafer 2 Inch, Single Crystal Substrate 4 Inch, single crystal epitaxial wafer
Ra≤0.3nm Single Crystal Substrate Thickness 0.6~0.8mm Orientation (-201) 10x10mm2 (-201) Fe-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM<350arcsec,Ra≤0.3 nm Optoelectronic devices, insulating layers of semiconductor materials, and UV filt... Ver más
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Grueso monocristalino de sustrato de Ga2O3 pulido de un solo lado 0,6 mm 0,8 mm
Precio: Negotiable
MOQ: Negotiable
El tiempo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Destacar:side polished Ga2O3 Substrate, 0.8mm Gallium Oxide substrate, Ga2O3 Substrate Single Crystal
Single side polished Ga2O3 Single Crystal Substrate Thickness 0.6~0.8mm 10x15mm2(010)Sn-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM<350arcsec,Ra≤0.5nm Resistance 2.00E+17Ω/cm-3 Optoelectronic devices, insulating layers of semiconductor m... Ver más
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FWHM<350arcsec Ga2O3 Wafer Single Crystal Substrate Thickness 0.6mm To 0.8mm
Precio: Negotiable
MOQ: Negotiable
El tiempo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Destacar:Ga2O3 Wafer 0.6mm, single crystal substrate 0.8mm, Ga2O3 Wafer 0.8mm
FWHM Ver más
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Situación libre libre del sustrato 10x10mm2 del solo cristal de la oblea dopada con Fe Ga2O3
Precio: Negotiable
MOQ: Negotiable
El tiempo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Destacar:Ga2O3 Fe Doped Wafer, Single crystal Ga2O3 substrate, Fe Doped Wafer 10x10mm2
10x10mm2 (-201) Fe-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM<350arcsec,Ra≤0.3 nm Optoelectronic devices, insulating layers of semiconductor materials, and UV filters Ga2O3 has a long history and the phase equilibria of the Al2O3-Ga2O3-... Ver más
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Semiconductor Single Crystal Gallium Oxide Substrate UID Doping
Precio: Negotiable
MOQ: Negotiable
El tiempo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Destacar:Single Crystal Gallium Oxide substrate, semiconductor wafer ISO, Gallium Oxide substrate UID Doping
Ga2O3 Single Crystal Substrate Thickness 0.6~0.8mm FWHM Ver más
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10x15mm2 UID dopado independiente Ga2O3 Wafer solo pulido
Precio: Negotiable
MOQ: Negotiable
El tiempo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Destacar:10x15mm2 Ga2O3 Wafer, UID Doped Ga2O3 Substrate, Ga2O3 Wafer Single Polishing
JDCD04-001-005 10x15mm2(-201)UID-Doped Free-Standing Ga2O3 Single Crystal Substrate Product Grade Single Polishing 10x15mm2(-201)UID-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM<350arcsec,Ra≤0.5nm Resistance 4.13E+17Ω/cm-3 Optoelectronic ... Ver más
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oblea Ga2O3 10x15m m de 10x10m m solo Crystal Substrate
Precio: Negotiable
MOQ: Negotiable
El tiempo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Destacar:10x10mm Ga2O3 Wafer, 10x15mm single crystal wafer, Ga2O3 Wafer 10x15mm
10x15mm2(-201)UID-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM<350arcsec,Ra≤0.5nm Resistance 4.13E+17Ω/cm-3 Optoelectronic devices, insulating layers of semiconductor materials, and UV filters With increased energy efficiency, smaller req... Ver más
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